ПП9138Б

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 25 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ; КПД стока ηС≥50%. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение Единица измерения […]

ПП9138А

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81C Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 15 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥11 дБ; КПД стока ηС≥50%. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение Единица измерения […]

ПП9137А

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 10 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥12 дБ; КПД стока ηС≥55%. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение Единица измерения […]

ПП9136А

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥16 дБ; КПД стока ηС≥50%. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение Единица измерения […]

Преимущества применения 3D моделей корпусов СВЧ-транзисторов при проектировании топологии элементов и габаритов корпусов СВЧ-аппаратуры

Мы предлагаем партнёрам бесплатные трёхмерные модели всех корпусов выпускаемых нами СВЧ-транзисторов для их совмещения с соответствующими 3D-моделями печатных плат и корпусов аппаратуры.