ПП9138Б

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 25 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ; КПД стока ηС≥50%. Скачать ТУ Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение […]

ПП9138А

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81C Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 15 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥11 дБ; КПД стока ηС≥50%. Скачать ТУ Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение […]

ПП9137А

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 10 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥12 дБ; КПД стока ηС≥55%. Скачать ТУ Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение […]

ПП9136А

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥16 дБ; КПД стока ηС≥50%. Скачать ТУ Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение […]