История развития

niietОфициальная история АО «НИИЭТ» берет свое начало в 1961 году, когда при Воронежском заводе полупроводниковых приборов было основано Центральное конструкторское бюро. 1 января 1983 года ЦКБ при ВЗПП стало самостоятельным предприятием: его переименовали в Научно-исследовательский институт электронной техники.

С тех пор НИИЭТ пережил еще ряд переименований.  21 апреля 1994 года институт получил первую прибавку к названию — «государственное предприятие». 13 ноября 2002 года ГП «НИИЭТ» переименовали в Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-исследовательский институт электронной техники», или сокращенно ФГУП «НИИЭТ». С 11 октября 2012 г. предприятие стало открытым акционерным обществом (ОАО «НИИЭТ»).

С 22 сентября 2016 г. предприятие стало открытым акционерным обществом (АО «НИИЭТ»). Полное наименование: Акционерное общество «Научно-исследовательский институт электронной техники».

Основной задачей предприятия в первые годы его становления было создание и освоение серийного выпуска полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) на основе германия и кремния  сначала на базе изделий, разрабатываемых московским НИИ "Пульсар", а затем и самостоятельно. Параллельно с этим проводились разработки нестандартного технологического оборудования для оснащения строящихся цехов и участков ВЗПП.

В 1962 г. на ЦКБ при ВЗПП была возложена задача по разработке комплексно-механизированной линии по изготовлению наиболее массовых диодов Д226. Запуск комплексно-механизированной линии в производство обеспечил выпуск до 10 миллионов диодов Д226 в год.

В период 1963–1964 гг. с участием специалистов ЦКБ на ВЗПП было освоено серийное производство с приемкой заказчика германиевых мощных транзисторов П213–П217, П602–П603, кремниевых транзисторов средней мощности П307–П309 и мощных транзисторов П702, 2Т903.

Одним из знаковых достижений ЦКБ при ВЗПП стала работа по разработке первой отечественной интегральной схемы. 60-е гг. были периодом освоения и внедрения на ВЗПП процессов планарной технологии, что подготовило базу для разработки первой интегральной биполярной микросхемы. Активная работа по созданию интегральной схемы началась в ЦКБ при ВЗПП в конце 1964 г. Группа специалистов под руководством В.И. Никишина, в которую входили Л.Н. Петров, А.П. Удовик, Ю.А. Верницкий, М.И. Горлов, Ю.Г. Замотайлов, в короткие сроки смогла разработать и получить действующие образцы микросхем диодно-транзисторной логики (ДТЛ).

В 1965 году во время визита на ВЗПП министра электронной промышленности А. И. Шокина заводу было поручено провести научно-исследовательскую работу по созданию кремниевой монолитной схемы — НИР «Титан» (приказ по министерству №92 от 16.08.1965 г.), которая была досрочно выполнена уже к концу года. Тема была успешно сдана Госкомиссии, и серия 104 микросхем диодно-транзисторной логики с диэлектрической изоляцией компонентов (КСДИ) стала первым фиксированным достижением в области твердотельной микроэлектроники, что было отражено в приказе МЭП №403 от 30.12.1965 г.

В период 1967–1973 гг. было выполнено около 20 НИР и ОКР по созданию и внедрению в производство быстродействующих и маломощных ИС малой и средней степени интеграции серий 106, 134, 128, 149, 177. Сюда входили схемы транзисторно-транзисторной логики, динамические логические схемы, линейные схемы и т.д.

В 1968 г. разработчиками ЦКБ при ВЗПП (В.Д. Скороходов, А.И. Стоянов, С.А. Еремин) были созданы и внедрены в производство первые ИС ОЗУ емкостью 16 бит по МОП-технологии. Разработка послужила отправной точкой для развития дальнейших работ в этом направлении  впоследствии на базе МОП-технологии было реализовано целое поколение р-канальных, n-канальных и КМОП интегральных и больших интегральных схем (БИС).

В 70-е годы на предприятии были выполнены разработки цифровых ИС серий 531, 530, а в 80-е  биполярных БИС серии 1804 на основе инжекционной логики.

Одним из основных направлений научно-технической деятельности предприятия становится разработка микроконтроллеров и однокристальных микроЭВМ. Этому в значительной степени способствовало интенсивное развитие в нашей стране в 70-е годы средств вычислительной техники и связи, всевозможных управляющих систем и САПР. Микросхемы использовались для комплектования отечественных мини- и микроЭВМ типа "Электроника-100", "Электроника-60", "Электроника-85", "Электроника-82".

В 1986 г. ФГУП "НИИЭТ" приказом по Министерству электронной промышленности был определен головным предприятием отрасли по созданию цифровых процессоров обработки сигналов (DSP) для специальной техники.

В 1987 году в НИИЭТ была введена первая в стране линейка по производству кристаллов интегральных схем с топологическими нормами 2,0 мкм в чистых помещениях класса 10 площадью 1200 кв.м. (знаменитый "финский" модуль). Первыми изделиями на ней стали пластины с кристаллами памяти 64К и микроконтроллеров. В результате проведения большого цикла работ были разработаны и освоены в производстве линейки БИС и СБИС 16-разрядных процессоров ЦОС с фиксированной точкой и 32-разрядных процессоров ЦОС с плавающей точкой серии 1867.

В начале 90-х годов было освоено производство 8-разрядных микроконтроллеров Н1830ВЕ31, Н1830ВЕ51 с архитектурой 8051 (Intel), а в 1999 г. была начата разработка первого 16-разрядного микроконтроллера с тактовой частотой 12–20 МГц на основе ядра MCS-96. Результатом явилось освоение выпуска микроконтроллеров 1874ВЕ36, Л1874ВЕ36, которые положили начало серии 1874.

Другим важным направлением научно-технической и производственной деятельности предприятия всегда являлось развитие транзисторной тематики и, прежде всего, разработок в области мощных ВЧ и СВЧ кремниевых транзисторов. Работы по этим приборам были начаты специалистами НИИ "Пульсар" и нашего предприятия в середине 60-х годов  до этого опыт разработок мощных ВЧ и СВЧ транзисторов в нашей стране полностью отсутствовал. В итоге в 1968 г. совместными усилиями был создан первый отечественный мощный СВЧ генераторный транзистор 2Т904 с выходной мощностью 3 Вт на частоте 400 МГц.

Направление мощных СВЧ-транзисторов в НИИЭТ развивалось очень активно. В течение 10–15 лет, начиная с 1969 года, в отечественной промышленности был создан по существу новый класс изделий полупроводниковой электроники для аппаратуры радиосвязи. За указанный период в НИИЭТ было разработано и освоено на Воронежском заводе полупроводниковых приборов более 100 типономиналов мощных СВЧ-транзисторов с различными видами приемки. Кроме генераторных транзисторов были созданы и другие группы мощных СВЧ-транзисторов: импульсные, линейные, широкополосные и др.

В середине 80-х годов в НИИЭТ были созданы мощные СВЧ-транзисторы нового поколения  с более высокими энергетическими показателями и более высоким уровнем надежности.
Всего за период с 1985 по 2000 год в НИИЭТ было разработано еще более 40 типономиналов мощных СВЧ-транзисторов. Среди них можно выделить транзистор 2Т9128АС с уровнем мощности 200 Вт на частоте 200 МГц, серию транзисторов 2Т9156АС, БС диапазона 650–1000 МГц с выходной мощностью до 50 Вт, транзистор 2Т919БС с импульсной мощностью 500 Вт в полосе частот 720–1150 МГц и др.

Начиная с 2003 года НИИЭТ приступил к разработкам, а уже с 2005 года организовал производство современных мощных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов по DMOS и LDMOS технологиям. При этом был достигнут максимальный уровень выходной мощности в непрерывном режиме в КВ-диапазоне  600 Вт (транзистор 2П986АС); в МВ-диапазоне 300 Вт (транзистор 2П979В); в ДМВ-диапазоне 150 Вт (транзистор 2П980БС).

В 70-е годы были начаты работы по созданию нового класса изделий  малогабаритных модулей усилителей мощности для применения в мобильных, стационарных и других системах беспроводной связи. Модули изготавливались с применением гибридной технологии, в том числе техники поверхностного монтажа. В качестве активных элементов использовались собственные кристаллы (чипы) мощных ВЧ и СВЧ транзисторов. Миниатюрные, полностью согласованные по входу и по выходу усилительные модули значительно облегчают задачи разработчиков средств радиосвязи и обеспечивают дальнейшую миниатюризацию аппаратуры. Для систем и комплексов мощного аппаратостроения в НИИЭТ разработаны мощные паллеты УМ (негерметизированные модули УМ). Малогабаритные модули УМ в различных диапазонах рабочих частот: в КВ, МВ и ДМВ  имеют выходную мощность до 60 Вт, мощные паллеты УМ имеют выходную мощность до 1000 Вт. Производство данных модулей усилителей мощности организовано в ЗАО НИИЭТ-СМС.

За годы своего развития НИИЭТ достиг новых высот в сфере разработки изделий микроэлектроники. Было разработано и освоено свыше 150 типономиналов мощных СВЧ-транзисторов и множество интегральных схем различного назначения.



 


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru