GaN МИС усилители мощности

Модель Описание
Характеристики
УНГ20С2560 Интегральный модуль СВЧ-усилитель мощности для использования в усилителях мощности СВЧ-диапазона 2,4-6 ГГц, выходная мощность 20 Вт, напряжение питания 28 В, вход/выход 50 Ом, коэффициент усиления по мощности 20 дБ min, КПД 30 %, класс АВ

Мощные непрерывные GaN транзисторы

Модель РВЫХ, Вт fТЕСТ, МГц КУР, дБ КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса
ТНГ40010-28 10 4000 10 45 28 КТ-81С
ТНГ40025-28 25 4000 9 50 28 КТ-81С
ТНГ29050-28 50 2900 11 60 28 КТ-55C-1

Мощные импульсные GaN транзисторы

Модель РВЫХ И, Вт fТЕСТ, МГц КУР, дБ КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса Q τи, мкс
ТНГ270100-28 100 2700 9 60 28 КТ-55C-1 10 300
ТНГ310100-50 100 3100 11 50 50 КТ-55C-1 10 300