ИМС

Шифр Основные параметры Маркировка корпуса Обозначение ТУ
 1887ВЕ8Т  Тактовая частота 16 МГц, напряжение питания 3,3 В ± 10%, встроенная память программ 128Кбит×8, встроенная память данных 4Кбит×8, встроенная RAM 4Кбит×8, внешняя RAM 64Кбит×8 4203.64-2  КФДЛ.431295.054ТУГК 

Мощный биполярный импульсный транзистор Р-диапазона

Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ И, Вт fТЕСТ, МГц КУР (min), дБ КПД (min), % UПИТ, В
Высотка-23НТ 2Т9211АС 120* 350 10 50 50

* τ = 10 мкс, Q= 100
Срок окончания ОКР — 2016 г.

Мощные СВЧ LDMOS линейные транзисторы

  • Диапазон частот до 1000 МГц
Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ ПО, Вт f1 , МГц f2, МГц КУР (min), дБ КПД (min), % UПИТ, В М3, дБ
Дискрет-34 2П9123А 0,5 860 860,1 18 40 28 -30
Дискрет-34 2П9123Б 15 860 860,1 15 40 28 -30
Дискрет-34 2П9123В 100 860 860,1 16 40 50 -30

Срок окончания ОКР — 2016 г.

Мощные СВЧ LDMOS импульсные транзисторы

  • Диапазон частот до 1200 -1400 МГц
Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ И, Вт f1 , МГц f2, МГц КУР (min), дБ η (min), % UП, В Параметры
импульса
τИ, мс Q
Дискрет-36 литера 1 25 1200 1400 17 43 50 1 10
Дискрет-36 литера 2 35 1200 1400 16 43 36 1 10
Дискрет-36 литера 3 50 1200 1400 16 43 50 1 10
Дискрет-36 литера 4 350 1200 1400 16 43 50 1 10
Дискрет-36 литера 5 500 1200 1400 16 43 50 1 10

Срок окончания ОКР — 2017 г.