Номенклатура мощных ВЧ и СВЧ DMOS транзисторов

  • Транзисторы непрерывного режима
Модель UСИ, В RСИ ОТК, Ом IС ИМП, А IС МАХ, А S, А/В Тип корпуса
МУ-200 800 0,8 30 12 5 КТ-56
  • Диапазон частот до 30 МГц
Модель РВЫХ, Вт fТЕСТ, МГц КУР, раз КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса
2П826АС 600 30 25 50 50 КТ-102-1
  • Диапазон частот до 230 МГц
Модель РВЫХ, Вт fТЕСТ, МГц КУР, раз КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса
2П821А 5 175 80 50 28 КТ-83
2П821Б 30 175 40 50 28 КТ-83
2П979А 60 230 25 50 28 КТ-56
2П979Б 150 230 20 50 28 КТ-56
2П819А 300 230 10 50 28 КТ-82
2П979В 300 230 30 50 50 КТ-82
  • Диапазон частот до 500 МГц
Модель РВЫХ, Вт fТЕСТ, МГц КУР, раз КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса
2П981А 5 500 10 50 12,5 КТ-83
2П981БС 10 500 10 50 12,5 КТ-81
2П981ВС 20 500 10 50 12,5 КТ-81
2П978А 5 500 20 50 28 КТ-83
2П978Б 10 500 20 50 28 КТ-81
2П978В 20 500 15 50 28 КТ-81
2П978Г 40 500 15 50 28 КТ-81
2П978Д 80 500 12 50 28 КТ-44
2П977А 150 500 10 50 28 КТ-82
2П9112А 30 400 31 54 50 КТ-83

Номенклатура мощных ВЧ и СВЧ LDMOS транзисторов

  • Диапазон частот до 500 МГц
Модель РВЫХ, Вт fТЕСТ, МГц КУР, раз КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса S-параметры
2П986Д 40 500 10 50 12,5 КТ-57А-1
2П986ЕС 80 500 5 50 12,5 КТ-103А-1
2П998А 35 500 30 50 28 КТ-55С-1 S
2П998БC 150 500 30 60 28 КТ-103А-1 S*
2П9111А 80 500 50 65 28 КТ-55С-1 S
2П9111БC 150 500 40 65 28 КТ-103А-1 S*
2П9111ВС 250 500 32 65 28 КТ103А-2 S*
2П9121АС 300 450 19 65 36 КТ-103А-1

* для балансных транзисторов S-параметры приведены для каждой секции транзисторной сборки

  • Диапазон частот до 1000 МГц
Модель РВЫХ, Вт fТЕС, МГц КУР, раз КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса S-параметры
2П980А 6,5 860 11 40 28 КТ-55С-1
2П980БС 150 860 10 45 32 КТ-103А-1
2П986А 2 1000 10 50 12,5 КТ-55С-1 S
2П986Б 5 1000 10 50 12,5 КТ-55С-1
2П986В 10 1000 10 50 12,5 КТ-55С-1
2П986Г 20 1000 10 50 12,5 КТ-57А-1

Номенклатура мощных СВЧ LDMOS линейных транзисторов

  • Диапазон частот до 1000 МГц
Модель РВЫХ ПО, Вт fТЕСТ, МГц КУР (min), дБ
КПД (min), %
UПИТ, В Тип корпуса S-параметры
2П9103А 10 860
860,1
16 40 32 КТ-55С-1 S
2П9103Б 45 860
860,1
16 40 32 КТ-55С-1 S
2П9103В 75 860
860,1
15 40 32 КТ-55С-1 S
2П9103ГС 150 860
860,1
16 40 32 КТ-103А-1
2П9103ДС 300 860
860,1
16 40 32 КТ-103А-2 S*

Примечание: коэффициент интермодуляционных искажений третьего порядка М3 для всех типов транзисторов – не более минус 25 дБ

Номенклатура мощных СВЧ LDMOS импульсных транзисторов

  • Диапазон частот 500 МГц
Модель РВЫХ И, Вт* fТЕСТ, МГц КУР (min), дБ
КПД (min), %
UПИТ, В Тип корпуса S-параметры
2П9120АС 500 500 21 45 50 КТ103А-2 S*
2П9120БС 1000 500 18 45 50 КТ103А-2 S*
2П9120ВС 1200 500 16 45 50 КТ103А-2 S*

* при следующих параметрах импульса:
2П9120АС – длительность tи = 25 мс, скважность Q = 10
2П9120БС – длительность tи = 5 мс, скважность Q = 10
2П9120ВС – длительность tи = 2 мс, скважность Q = 10

  • Диапазон частот 1030 — 1090 МГц
Тип f = 1090 МГц, τИ = 13 мс, Q = 3 UПИТ, В
Тип
корпуса
S-параметры
PВЫХ И, Вт КУР (мин), дБ
ηС, % (мин)
2П9115АС 500 13 40 50 КТ-103А-2 S*

 

Тип f1 = 1030 МГц, f2 = 1090 МГц, τИ = 320 мкс, Q = 50 UПИТ, В
Тип
корпуса
S-параметры
PВЫХ И, Вт КУР, дБ (мин) ηС, % (мин)
2П9116А 30 12 40 50 КТ-55С-1 S
2П9116Б 110 12 40 50 КТ-57А-1 S
2П9116В 300 12 40 50 КТ-81В-1
  • Диапазон частот 1030 — 1550 МГц
Тип f = 1550 МГц, τИ = 3,5 мс, Q = 10 UПИТ, В
Тип
корпуса
S-параметры
PВЫХ И, Вт КУР, дБ (мин) ηС, % (мин)
2П9110А 10 12 40 50 КТ-55С-1 S
2П9110Б 35 12 40 50 КТ-55С-1 S
2П9110В 50 12 40 50 КТ-55С-1 S
2П9110Г 100 12 40 50 КТ-57А-1
2П9110Д 200 12 40 50 КТ-57А-1 S
2П9110ЕС 370 12 40 50 КТ-103А-1 S*
2П9110ЖС 450 12 40 50 КТ-103А-2