Специалисты АО «НИИЭТ» подготовили статью, затрагивающую тему отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. Был проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами, а при создании структур кристаллов мощных СВЧ-транзисторов были проработаны различные конструктивные варианты. Вы можете ознакомиться с данным материалом на нашем сайте или приобретя последний выпуск журнала «Электронные компоненты» №7-2017.