Новый модуль усилителя мощности КВ диапазона УМ131-1

Разработчиками отдела СВЧ транзисторов ФГУП «НИИЭТ» создан новый модуль усилителя мощности КВ диапазона УМ131-1 с высокими показателями по линейности и устойчивости к КСВН. В диапазоне частот 1.5-30 МГц модуль УМ131-1 в режиме класса АВ обеспечивает выходную мощность Рвых = 20 Вт и КПД не менее 45 % при напряжении питания 28 В. При этом уровень […]

Серийное производство 1830ВЕ32У

ФП «НИИЭТ» (г. Воронеж) сообщает об освоении в серийном производстве изделия 1830ВЕ32У – радиационно-стойкого аналога серийно выпускаемого 8-разрядного микроконтроллера 1830ВЕ31. Кристалл изделия изготовлен по КМОП КНИ технологии с применением конструктивных и схемотехнических решений, обеспечивающих стойкость к СВ ВВФ. Кроме того, в ОЗУ микроконтроллера реализовано аппаратное мажоритирование (2 из 3). Предприятие продолжает также поставки изделия 1874ВЕ05Т, […]

ФГУП «НИИЭТ» завершает разработку новой серии мощных СВЧ LDMOS транзисторов

ФГУП «НИИЭТ» в рамках ОКР «Номенклатура» завершает разработку серии мощных СВЧ LDMOS транзисторов 2П998А (Рвых=35 Вт), 2П998БС(Рвых =150 Вт) для применения в диапазоне рабочих частот до 500 МГц с напряжением питания 28 В. Транзисторы предназначены для комплектования усилительных модулей аппаратуры стационарных и бортовых средств связи специального и двойного назначения. Модули с использованием LDMOS транзисторов позволят […]

ФГУП «НИИЭТ» закончил разработку первой отечественной СБИС 16-разрядного микроконвертера

В рамках ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы ФГУП «НИИЭТ» закончил разработку первой отечественной СБИС 16-разрядного микроконвертера. Микросхема построена на базе усовершенствованного ядра архитектуры MCS-96. Высокая скорость выполнения арифметических и логических операций достигается благодаря наличию встроенного аппаратного умножителя (умножение 16×16 – 1 машинный цикл), делителя (деление 32/16 – 2 машинных цикла), сдвигателя […]

ФГУП «НИИЭТ» завершил разработку серии мощных СВЧ низковольтных LDMOS транзисторов 2П986А, 2П986Б, 2П986В, 2П986Г

ФГУП «НИИЭТ» завершил разработку серии мощных СВЧ низковольтных LDMOS транзисторов 2П986А, 2П986Б, 2П986В, 2П986Г для применения в диапазоне рабочих частот до 1 ГГц и транзисторов 2П986Д, 2П986ЕС для применения в диапазоне частот до 650 МГц. Транзисторы предназначены для комплектования аппаратуры подвижных средств радиосвязи специального и двойного назначения. Предприятие принимает заявки заинтересованных потребителей на поставку транзисторов начиная с […]