ТНГ310100-50

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С1 Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 3500 МГц Основные характеристики Выходная импульсная мощность РВЫХ И = 100 Вт; Напряжение питания UСИ = 50 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥11 дБ; КПД стока ηС≥50%; Длительность импульса τ = 300 мкс; Скважность Q = […]

ТНГ270100-28

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С1 Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 3500 МГц Основные характеристики Выходная импульсная мощность РВЫХ И = 100 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ; КПД стока ηС≥60%; Длительность импульса τ = 300 мкс; Скважность Q = […]