ТНГ310100-50

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С1 Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 3500 МГц Основные характеристики Выходная импульсная мощность РВЫХ И = 100 Вт; Напряжение питания UСИ = 50 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥11 дБ; КПД стока ηС≥50%; Длительность импульса τ = 300 мкс; Скважность Q = […]

ТНГ270100-28

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С1 Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 3500 МГц Основные характеристики Выходная импульсная мощность РВЫХ И = 100 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ; КПД стока ηС≥60%; Длительность импульса τ = 300 мкс; Скважность Q = […]

УНГ20С2560

Интегральный модуль СВЧ-усилитель мощности Описание Усилитель мощности на нитриде галлия Основное назначение Предназначен для использования в усилителях мощности СВЧ-диапазона Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 20 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥20 дБ; АВ класс; Не требует внешних согласующих и развязывающих цепей; КПД стока ηС≥30%. Предельно допустимые значения электрических […]

ПП9138Б

Мощный СВЧ GaN транзистор Описание Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С Основное назначение Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц Основные характеристики Выходная мощность РВЫХ = 25 Вт; Напряжение питания UСИ = 28 В; Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ; КПД стока ηС≥50%. Скачать ТУ Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации Параметр Обозначение Значение […]