Мощный СВЧ GaN транзистор
Описание

  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С1

Основное назначение

  • Предназначен для работы в усилителях мощности до 4000 МГц

Основные характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И = 100 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 50 В;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥12 дБ;
  • КПД стока ηС≥50%;
  • Длительность импульса τ = 300 мкс;
  • Скважность Q = 10;
  • Встроенная входная согласующая цепь.

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Напряжение затвор-исток UЗИ
 -10 до +2 В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток		 UСИ МАКС 120* В
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 9 А
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 225 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К ** °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С

Электрические параметры транзисторов

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=120 В, UЗИ=-8 В — 20 мА 25
Крутизна характеристики S  UС=3 А, UСИ=10 В 3,2 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ И
 f=4000 Мгц, UСИ=50 В 100 — Вт 25
Коэффициент усиления
по мощности		 КУP f=4000 Мгц, UСИ=50 В, PВЫХ=100 Вт, IС=0,1 мА 12 — дБ 25
Коэффициент полезного
действия стока		 ηC 50 — % 25

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *