Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот 1030 — 1090 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Внутренние согласующие цепи по входу и по выходу;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2

Основное назначение

  • ТТранзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И  — 500 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 13 дБ (мин),
    19 дБ (тип)
  • КПД стока ηС  — 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 1090 МГц, UСИ = 50 В, tИ = 13 мс,
    Q = 3, tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p9115as_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное напряжение
сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 100 В
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность РСР И МАКС 7752) Вт
Максимально допустимый импульсный ток стока IС И МАКС 313) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tC МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,2 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса t≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная импульсная
мощность, Вт
РВЫХ И f = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
τИ  = 13 мс,
Q =  3
500 tk ≤ 40 °С
 Коэффициент усиления
по мощности, дБ
 КУР f = 1090 МГц,
UСИ = 50 В, РВЫХ = 500 Вт,
τИ  = 13 мс,
Q =  3
13 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηС f = 1090 МГц,
UСИ = 50 В, РВЫХ = 500 Вт,
τИ  = 13 мс,
Q =  3
40 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S* IC = 5,0 A,
UСИ = 10 В
4,4 tС  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ* UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
5
15
25
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК* 0,24 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С11И* 500 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С12И* 2,0 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С22И* 1500 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B ) IЗ УТ* 10 (макс) мкА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
960 0,60 — j 1,54 3,47 — j 1,76
1000 0,70 — j 1,64 3,29 — j 1,33
1030 0,85 — j 1,70 2,96 — j 0,77
1090 1,25 — j 1,60 2,42 — j 0,44

 

2p9115as_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p9115as_graphic_1 2p9115as_graphic_2
2p9115as_graphic_3 2p9115as_graphic_4
2p9115as_graphic_5 2p9115as_graphic_6
2p9115as_graphic_7 2p9115as_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_103a_2

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *