Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот 1030 — 1090 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Внутренние согласующие цепи по входу и по выходу;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-57А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И  — 110 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 12 дБ (мин);
  • КПД стока ηС — 40 % (мин)
    (режим измерения: f1 = 1030 МГц, f2 = 1090 МГц, UСИ = 50 В,
    τИ = 320 мкс, Q = 50, tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p9116b_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность РИ МАКС 4502) Вт
Максимально допустимый импульсный ток стока IС И МАКС 93) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tC МАКС(КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К И
0,33 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 30 °С
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная импульсная
мощность, Вт
РВЫХ И f1 = 1030 МГц,
f2 = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
τИ   = 320 мкс,
Q =  50
110 tk ≤ 40 °С
 Коэффициент усиления
по мощности, дБ
 КУР f1 = 1030 МГц,
f2 = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 110 Вт,
τИ  = 320 мкс,
Q =  50
12 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηС f1 = 1030 МГц,
f2 = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 110 Вт,
τИ  = 320 мкс,
Q =  50
40 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S IC = 3 A,
UСИ = 10 В
2,8 tС  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
6
30
30
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК 0,4 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С11И 244 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С12И 1,0 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С22И 723 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B ) IЗ УТ 10 (макс) мкА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-6 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
1030 2,53 —  j 5,79 4,54 —  j 3,46
1090 3,76 —  j 5,46 3,76 —  j 3,08

 

2p9116b_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p9116b_graphic_1 2p9116b_graphic_2
2p9116b_graphic_3 2p9116b_graphic_4
2p9116b_graphic_5 2p9116b_graphic_6
2p9116b_graphic_7 2p9116b_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_57a_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *