Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот 1030 – 1550 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-57А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  — 100 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности КУР   — 12 дБ (мин)
  • КПД стока ηС  — 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс,
    Q = 10, tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p9110g_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность
РСР И МАКС 2032) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 8,83) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,76 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 25°С
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная импульсная
мощность, Вт
РВЫХ И f = 1550 МГц, UСИ = 50 В,
τИ  = 3,5 мс,
Q =  10
100 tk ≤ 40 °С
 Коэффициент усиления
по мощности, дБ
 КУР f = 1550 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ=  100 Вт,
τИ = 3,5 мс,
Q = 10
12 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηС f = 1550 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ=  100 Вт,
τИ = 3,5 мс,
Q = 10
40 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S IC = 3 A,
UСИ = 10 В
2,8 tС  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
8
40
40
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК 0,36 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С11И 178 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С12И 1,3 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С22И 790 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B ) IЗ УТ 0,01 (макс) мА
Напряжение отсечки ( IСИ = 50 мA ) UЗИ ОТС 1-6 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
1030 2,05 — j 4,96 4,01 — j 3,88
1300 3,01 — j 7,53 2,31 — j 3,98
1550 8,01 — j 9,01 1,52 — j 4,92

 

2p9110g_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p9110g_graphic_1 2p9110g_graphic_2
2p9110g_graphic_3 2p9110g_graphic_4
2p9110g_graphic_5 2p9110g_graphic_6
2p9110g_graphic_7 2p9110g_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_57a_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *