Мощный СВЧ GaN транзистор

Описание

  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81С

Основное назначение

  • Предназначен для работы в усилителях мощности до 6000 Гц

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 25 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ;
  • КПД стока ηС≥50%.

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Напряжение затвор-исток UЗИ МАКС -10 до +2 В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 120* В
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 3 А
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 225 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К ** °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С

Электрические параметры транзисторов

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Ток стока насыщения IС НАС UСИ=6 В, UЗИ=2 В 10,6 А 25
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=80 В, UЗИ=-8 В 0,8 мА 25
Крутизна характеристики S 2,6 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ f=4000 Мгц, UСИ=28 В 25 Вт 25
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=4000 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=25 Вт, IС=0,1 мА 9 дБ 25
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 50 % 25

Типовые зависимости электрических параметров





Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *