Мощный СВЧ GaN транзистор

Описание

  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С1

Основное назначение

  • Предназначен для работы в усилителях мощности до 3500 МГц

Основные характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И = 100 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥9 дБ;
  • КПД стока ηС≥60%;
  • Длительность импульса τ = 300 мкс;
  • Скважность Q = 10.

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Напряжение затвор-исток UЗИ
-10 до +2 В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 80* В
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 12 А
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 225 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К ** °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С

Электрические параметры транзисторов

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=80 В, UЗИ=-8 В 25 мА 25
Крутизна характеристики S  UС=6 А, UСИ=10 В 5,6 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ И
f=2700 Мгц, UСИ=28 В 100 Вт 25
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=4000 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=100 Вт, IС=0,1 мА 9 дБ 25
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 60 % 25

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *