Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n генераторный низковольтный СВЧ транзистор;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2T9175В предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 140-512 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт;
  • Напряжение питания UП = 7,5 В;
  • Рабочая частота f = 470 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
  • КПД коллектора ηК≥55%.
Технические данные

2t9175v_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ) UКЭR max 20 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 15 Вт 1
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 2,0 А 2
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 512 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 140 МГц
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме не превышает предельного значения для данной температуры;

Электрические параметры транзисторов 2T9175В при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=20 В, RЭБ=10 Ом 5 мА 25
10 мА 125
10 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=3 В 15 мА 25
30 мА 125
30 мА -60
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=0,8 А
2,6 25
Выходная мощность РВЫХ f=470 МГц, UП=7,5 В,
РВХ≤1,25 Вт
5 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=470 МГц, UП=7,5 В
РВЫХ=5 Вт
4 tК≤40
Коэффициент полезного
действия коллектора
hК 55 % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 2,8 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,4 А, tс=25±10 °С 24 нс
Емкость эмиттерного перехода СЭ f=5 МГц, UЭБ=0 В, tС=25±10 °С 91 пФ
Емкость коллекторного перехода СК f=30 МГц, UП=7,5 В, tС=25±10 °С 34 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

2t9175v_graphic_1 2t9175v_graphic_2
2t9175v_graphic_3 2t9175v_graphic_4
2t9175v_graphic_5 2t9175v_graphic_6
2t9175v_graphic_7 2t9175v_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц
2t9175v_electrical_sch
  • Конденсаторы
    С1, С2 КТ4-21б-2/10 пФ ОЖО.460.103ТУ
    С3 К10-57-500В-15 пФ ±10% ОЖО.460.194ТУ
    С4 К10-17-3-Н50-0,068 мкФ ±20% ОЖО.460.107ТУ
    С5, С8 К10-57-250В-680 пФ ±20% ОЖО.460.194ТУ
    C6, C7 КТ4-21б-3/15 пФ-В ОЖО.460.103ТУ
    С9 К50-35-63В-10 мкФ ОЖО.464.214ТУ
  • Резисторы
    R1, R3 С2-23-0,25-15 Ом ±10% ОЖО.467.173ТУ
    R2 С2-23-0,25-10 Ом ±10% ОЖО.467.173ТУ
  • Дроссели
    L1, L4 дроссель высокочастотный ДМ-2,4-3 ±10%
    L2, L3 6 витков провода ПЭВ-2 диаметр 0,51 мм, внутренний диаметр намотки 3,5 мм
  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5
    W1 w=(4,5±0,1) мм, l=(12±0,2) мм
    W2, W3 w=(6,6±0,16) мм, l=(74±0,16) мм
    W4 w=(12,7±0,1) мм, l=(30±0,16) мм
    W5 w=(4,5±0,1) мм, l=(5±0,16) мм
  • Разъемы
    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_83

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *