Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83А;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9197А предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером
    в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 2 Вт;
  • Напряжение питания UП = 12,6 В;
  • Рабочая частота f = 870 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥6;
  • КПД коллектора ηК≥55%.
Технические данные

2t9197a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ) UКЭR max 36 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 20 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 2,3 А 3
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 870 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 200 МГц
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 7 °С/Вт
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tT)/RТ П-T);
  3. 3 — значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9197А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=36 В, RЭБ=10 Ом 3 мА 25
6 мА 125
6 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=3 В 2 мА 25
4 мА 125
4 мА -60
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=0,7 А
2,4 25
Выходная мощность РВЫХ f=870 МГц, UП=12,6 В,
РВХ≤0,33 Вт, IK≤20 мА
2 Вт tК≤60
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=870 МГц, UП=12,6 В
РВЫХ=2 Вт, IK≤20 мА
6 tК≤60
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 55 % tК≤60

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 1,3 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С 13,5 нс
Емкость эмиттерного перехода СK f=30 МГц, UЭБ=12,6 В, tС=25±10 °С 9,75 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

2t9197a_graphic_1 2t9197a_graphic_2
2t9197a_graphic_3 2t9197a_graphic_4
2t9197a_graphic_5 2t9197a_graphic_6
2t9197a_graphic_7 2t9197a_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц
2t9197a_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1,…,C5 КТ4-25б-100В-1/5пФ ОЖО.460.135ТУ
    C7, C8 К10-17-3-Н50-0,68мкФ20% ОЖО.460.107ТУ
    C6, C9 К50-35-100В-10мкФ ОЖО.464.214ТУ
  • Резисторы
    R1, R2 6 витков провода ПЭВ-2 диаметр 0,51 мм, внутренний диаметр намотки 2,5 мм
  • Дроссели
    L1 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.027
    L2 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.028
    L3 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.015
    L4 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
    L5 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.029
    L6 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.027
  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5
    W1, W5 w=3 мм, l=20 мм
    W2 w=3 мм, l=13 мм
    W3 w=3 мм, l=33 мм
    W4 w=3 мм, l=5 мм
  • Разъемы
    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_83

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *