Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83А;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9197Б предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером
    в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт;
  • Напряжение питания UП = 12,6 В;
  • Рабочая частота f = 870 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥5;
  • КПД коллектора ηК≥55%.
Технические данные

2t9197b_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ) UКЭR max 36 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 21 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 3,3 А 3
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 870 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 200 МГц
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Тепловое сопротивление переход-теплоотвод RT П-Т 6,8 °С/Вт
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tT≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tT)/RТ П-T);
  3. 3 — значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9197Б при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=36 В, RЭБ=10 Ом 5 мА 25
10 мА 125
10 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=3 В 3 мА 25
6 мА 125
6 мА -60
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=1,5 А
2,2 25
Выходная мощность РВЫХ f=870 МГц, UП=12,6 В,
РВХ≤1 Вт, IK≤30 мА
5 Вт tК≤60
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=870 МГц, UП=12,6 В
РВЫХ=5 Вт, IK≤30 мА
5 tК≤60
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 55 60 % tК≤60

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 4,5 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С 10,1 нс
Емкость эмиттерного перехода СK f=30 МГц, UЭБ=12,6 В, tС=25±10 °С 13,5 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

2t9197b_graphic_1 2t9197b_graphic_2
2t9197b_graphic_3 2t9197b_graphic_4
2t9197b_graphic_5 2t9197b_graphic_6
2t9197b_graphic_7 2t9197b_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц
2t9197b_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1,…,C3 КТ4-25-б-100В-1/5пФ ОЖО.460.135ТУ
    C6,…,C8 КТ4-25-б-100В-1/5пФ ОЖО.460.135ТУ
    C10, C11 К10-17-3-Н50-0,68мкФ20% ОЖО.460.107ТУ
    C9, C12 К50-35-100В-10мкФ ОЖО.464.214ТУ
    C4, C5, C13 К10-57-500В-7,5пФ10% ОЖО.460.194ТУ
  • Резисторы
    R1, R2 С2-33-0,5-11Ом10% ОЖО.467.173ТУ
  • Дроссели
    L2, L3 три витка провода ПЭВ-2 0,6мм, внутренний диаметр намотки 3мм
    L1, L4 дроссель высокочастотный ДМ-3-110%
    L5 один виток провода ПЭВ-2 0,8мм, внутренний диаметр намотки 3мм
  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5
    W1, W6 w=3,5 мм, l=8 мм
    W2 w=3,5 мм, l=13 мм
    W3 w=3,5 мм, l=3 мм
    W4 w=3,5 мм, l=7 мм
    W5 w=3,5 мм, l=25 мм
  • Разъемы
    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_83

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *