Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ генераторный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9193А предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 500-900 МГц в схеме с общим эмиттером
    в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 30 Вт;
  • Напряжение питания UП = 12,5 В;
  • Рабочая частота f = 900 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥3,5;
  • КПД коллектора ηК≥55%.
Технические данные

2t9193a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ) UКЭR max 36 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 70 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 10 А 3
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 900 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 500 МГц
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 2 °С/Вт
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К);
  3. 3 — значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9193А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=36 В, RЭБ=10 Ом 20 мА 25
40 мА 125
40 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=3 В 20 мА 25
40 мА 125
40 мА -60
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=4 А
1,5 25
Выходная мощность РВЫХ f=900 МГц, UП=12,5 В,
РВХ≤8,6 Вт
30 Вт tК≤60
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=900 МГц, UП=12,5 В
РВЫХ=30 Вт
3,5 tК≤60
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 55 % tК≤60

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 4,5 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С 24 нс
Емкость эмиттерного перехода СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 60 пФ
Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению KCT UMAX UП=12,5 В, tK≤40 °С, f=470 МГц 10
Примечание:

  1. значение параметра КCT UMAX при всех фазах коэффициента отражения при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке ≤ 8 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

2t9193a_graphic_1 2t9193a_graphic_2
2t9193a_graphic_3 2t9193a_graphic_4
2t9193a_graphic_5 2t9193a_graphic_6
2t9193a_graphic_7 2t9193a_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц
2t9193a_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1, C8 К50-35-25в-10мкФ20%
    C2, C7 К10-17-3-Н50-0,68мкФ20%
    C3, C4, C9 КТ4-25б-100в-1/5пФ
    C5, C6 К10-57-500в-7,5пФ10%
    C10 К10-57-500в-33пФ10%
  • Резисторы
    R1, R2 С2-33Н-0,5-11Ом5%
  • Дроссели
    L1, L4 ДМ3-110%
    L2, L3 3 витка ПЭВ-2 диаметр 0,65мм, оправка диаметр 4мм
  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5
    W1 w=3 мм, l=20 мм
    W2 w=3 мм, l=5 мм
    W3 w=22 мм, l=10 мм
  • Разъемы
    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_83

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *