Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-42;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т904АВЭ предназначены для работы в схемах автогенераторов, умножителей частоты, усилителей мощности аппаратуры
    в диапазоне частот 100-400 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 3 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 400 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥2,5;
  • КПД коллектора ηК≥40%.
Технические данные

2t904ave_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база
UКБ max 65 В 1, 2
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ) UКЭR max 65 В 1, 2
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 4 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 180 Вт 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 0,8 А 1
Максимально допустимый импульсный ток коллектора IК, И max 1,5 A 1
Максимально допустимый постоянный ток базы IБ max 0,2 A 1
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 185 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 400 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 100 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 15 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур при условии, что рассеиваемая мощность не превышает предельной;
  2. 2 — допускается пиковое значение напряжения до 75 В при работе в режиме генератора мощности на частоте не ниже 100 МГц;
  3. 3 — при температуре корпуса tK≤80°С (при температуре корпуса от +80°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (185-tK)/RТ П-К).

Электрические параметры транзисторов 2Т904А/ВЭ при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=65 В, RЭБ=100 Ом 1 мА 25
2 мА 125
2 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=4 В 100 мА 25
200 мА 125
200 мА -60
Емкость коллекторного перехода CK f=5 МГц, UКБ=28 В 430 пФ 25
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=100 МГц, UКЭ=28 В,
IK=200 А
3,5 25
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=400 МГц, UКЭ=28 В
РВЫХ=3 Вт
2,5 tК≤40
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 40 % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=100 МГц, UКЭ=28 В, tС=25±10 °С 1,0 1,35 1,5 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=10 В, f=5 МГц, IЭ=30 мА, tC=25±10 °С 15 нс
Емкость коллекторного перехода СK f=5 МГц, UКЭ=28 В 12 пФ
Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 80 90 125 пФ
Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению KCT UMAX UП=24 В, tK≤50 °С 5
Граничное напряжение UКЭО ГР I=200 мА 40 60 В

Типовые зависимости электрических параметров

2t904ave_graphic_1 2t904ave_graphic_2
2t904ave_graphic_3 2t904ave_graphic_4
2t904ave_graphic_5 2t904ave_graphic_6
2t904ave_graphic_7 2t904ave_graphic_8
2t904ave_graphic_9 2t904ave_graphic_10
2t904ave_graphic_11 2t904ave_graphic_12
2t904ave_graphic_13
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 100 МГц
2t904ave_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1,…,C3 1КПВМ-1 ИХО.465.002 ТУ
    C4 К10-17б-Н90-0,047 мкФ±10 % ОЖО.460.172 ТУ
    C5 К10-17б-Н90-3300 пФ±10 % ОЖО.460.172 ТУ
    C6, C7 1КПВМ-1 ИХО.465.002 ТУ
  • Резисторы
    R1 С2-33Н-0,25-68 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1,…,L4 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
  • Кнопки
    SB1 КМ2-1 ОЮО.360.011 ТУ
  • Вилки
    XP1 2РМ14КПНЧШ1В1 ГЕО.364.126 ТУ
  • Разъемы
    XS1, XS2 Розетка приборная СР-50-165 Ф ВРО.364.010 ТУ
  • VТ — измеряемый транзистор
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 400 МГц
2t904ave_electrical_sch2
  • Конденсаторы
    C1, C2 1КПВМ-4 ИХО.465.002 ТУ
    C3 К10-17б-Н90-0,033 мкФ±10 % ОЖО.460.172 ТУ
    C4 1КПВМ-3 ИХО.465.002 ТУ
    C5 КТП-1Аа-Н70-3300 пФ ГОСТ11553-80
    C6 1КПВМ-3 ИХО.465.002 ТУ
    C7 К50-35-40В-47 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    C8 1КПВМ-3 ИХО.465.002 ТУ
  • Резисторы
    R1 С2-33Н-0,25-240 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
    L2 Катушка индуктивности И9М7.767.032-01
    L3 Катушка индуктивности И9М7.767.042
  • Кнопки
    SB1 КМ2-1 ОЮО.360.011 ТУ
  • Вилки
    XP1 2РМ14КПНЧШ1В1 ГЕО.364.126 ТУ
  • Разъемы
    XS1, XS2 Розетка приборная СР-50-165 Ф ВРО.364.010 ТУ
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
 kt_4_2

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *