Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевая эпитаксиально-планарная n-p-n генераторная
    СВЧ транзисторная сборка с общим эмиттером;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-82;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторные сборки 2Т9147АС предназначены для работы
    в двухтактных усилителях мощности в диапазоне
    частот 100-400 МГц в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 160 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 400 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
  • КПД коллектора ηК≥50%.
Технические данные

2t9147as_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ) UКЭR max 50 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 4 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 175 Вт 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 29 А 4
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 400 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 100 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,8 °С/Вт 5
0,6 °С/Вт 6
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур при условии, что рассеиваемая мощность не превышает предельной;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К, где RТ П-К=0,6 °С/Вт);
  3. 3 — при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К, где RТ П-К=0,8 °С/Вт);
  4. 4 — для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора не превышает предельного значения;
  5. 5 — в статическом режиме;
  6. 6 — в непрерывном динамическом режиме.

Электрические параметры транзисторов 2Т9147АС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Выходная мощность PВЫХ f=400 Мгц, UП=28 В, PВХ≤40 Вт 160 Вт tК≤60
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом 120 мА 25
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=4 В 60 мА 25
Емкость коллекторного перехода CK f=5 МГц, UКБ=28 В 420 пФ 25
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=50 В,
IK=6 А
1,4 25
Разность коллекторных токов транзисторов в сборке ΔIK f=400 МГц, UП=28 В,
РВЫХ=160 Вт
2 А tК≤60
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=400 МГц, UП=28 В
РВЫХ=160 Вт
4 tК≤60
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 50 % tК≤60
Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО, СK двух параллельно включенных транзисторов сборки, IH21ЭI — отдельно для каждого транзистора сборки.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 18 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=1 А, tC=25 °С 40 пс
Емкость коллекторного перехода СK f=5 МГц, UКЭ=28 В 12 пФ
Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 2100 2720 пФ
Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению KCT UMAX UП=24 В, tK≤50 °С 31
102
Примечание:

  1. Приведены значения параметра Iкр отдельно для каждого транзистора сборки; Кст Umax при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: 1 — не более 160 Вт; 2 — не более 125 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

2t9147as_graphic_1 2t9147as_graphic_2
2t9147as_graphic_3 2t9147as_graphic_4
2t9147as_graphic_5 2t9147as_graphic_6
2t9147as_graphic_7 2t9147as_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК в режиме класса С на частоте (300-400) МГц
2t9147as_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1* К10-57-500В-2,2 пФ ±0,5пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С2,С3 К10-57-500В-6,8 пФ ±1пФ
    С4,С5 К10-17•1в-Н50-0,1 мкФ +50% ОЖО.460.172 ТУ
    C6, C7 К10-57-500В-4,7 пФ ±0,5 пФ
    С8,С9 К10-57-100В-1000 пФ ±10%
    С10,С11 К50-35-63в-2200 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С12* К10-57-500В-2,2 пФ ±0,5пФ
  • Резисторы
    R1,R2 МЛТ-0,5-12 Ом ±10%
  • Дроссели
    L1, L2 ДМ3-1 ±5%
    L3,…,L6 3 витка провода ПЭТВ-2 НВМ-0,5, внутренний диаметр 3 мм
  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,0
    W2,W13,W3,W13 (40±0,4) мм коаксиального кабеля РК50-1,5-22
    W1,W14 несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1, l=(5±0,28) мм, h=(3±0,12) мм
    W4,W5 l=(17±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
    W6,W7 l=(6±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
    W8,W9 материал ФАФ-4-1, l=(9±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
    W10,W11 материал ФАФ-4-1, l=(27±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
  • Разъемы
    XS1, XS2 Переход коаксиально-полосковый И9М3.562.020
  • VТ — измеряемый транзистор
    * — подбирают при регулировании
Габаритный чертёж корпуса
kt_82

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *