Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n генераторный СВЧ широкополосный
    транзистор с общим эмиттером и балластными резисторами
    в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2T9153АС предназначены для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц
    в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 15 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 390, 840МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥6;
  • КПД коллектора ηК≥40%.
Технические данные

2t9153as_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ) UКЭR max 50 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 50 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 4 А 3
Максимально допустимая температура p-n перехода tП max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 840 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 390 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 3,2 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤40°С (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К);
  3. 3 — для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора не превышает предельного значения.

Электрические параметры транзисторов 2T9153АС при приемке и поставке

s

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом 20 мА 25
40 мА 125
40 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=4 В 15 мА 25
30 мА 125
30 мА -60
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=2,5 А
2 25
Выходная мощность PВЫХ f=3901, 6501, 6152, 8402 Мгц, UП=28 В, PВХ≤2,5 Вт, IKнач=2×0,05 А 15 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=3901, 6501, 6152, 8402 Мгц, UП=28 В, PВЫХ=15 Вт, IKнач=2×0,05 А 6 tК≤40
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 40 % tК≤40
Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных кристаллов
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого кристалла транзистора;
    1 — усилитель с рабочей полосой (390-650) МГц;
    2 — усилитель с рабочей полосой (615-840) МГц.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 3 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tC=25 °С 12 пс
Емкость коллекторного перехода СK f=5 МГц, UКЭ=28 В 37 пФ
Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 190 260 пФ
Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению KCT UMAX UП=28 В, tK≤(50±2) °С, f=840 МГц 5
Примечание:

  1. Приведены значения параметра Iкр отдельно для каждого транзистора сборки; Кст Umax при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: не более 15 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

2t9153as_graphic_1 2t9153as_graphic_2
2t9153as_graphic_3 2t9153as_graphic_4
2t9153as_graphic_5 2t9153as_graphic_6
2t9153as_graphic_7 2t9153as_graphic_8
2t9153as_graphic_9
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК в режиме АБ на частотах (390-650) МГц
2t9153as_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1,С2,С17,С18 К50-35-47мкФ-63В±20%
    С3,С4,С15,С16 КМ6-0,47мкФ±10%
    С5,C6,С13,С14 К10-57-300пФ±10%
    С7,С8,С11,С12 К10-57-27пФ±10%
    С9*,C10* К10-57-3,3пФ±10%
  • Дроссели
    L1,L2 3 витка провода ПЭВ-2-0,51, внутренний диаметр намотки 2мм±0,12мм
  • Линии СВЧ и элементы
    Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1:
    W1,W16 l=(20±0,28)мм, h=(3±0,12)мм
    W2,W4 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22
    W3,W15 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22 с незадействованной центральной жилой
    W4,W5 l=(12±0,24)мм, h=(3±0,12)мм
  • Разъемы
    XS1, XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2
  • VТ — измеряемый транзистор
    * — подбирают при регулировании
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 400 МГц
2t9153as_electrical_sch_3
  • Конденсаторы
    C1,С2,С20,С21 К50-35-47мкФ-63В±20%
    С3,С4,С15,С17 КМ6-0,47мкФ±10%
    С5,C7,С12,С14 К10-57-300пФ±10%
    С6 КТ4-25-(1 : 5)пФ
    С8,С9,С18,С19 К10-57-27пФ±10%
    С10 К10-57-18пФ±10%
    С11 К10-57-4,7пФ±10%
    С13 К10-57-3,3пФ±10%
    С16 К10-57-4,7пФ±10%
  • Дроссели
    L1,L2 3 витка провода ПЭВ-2-0,51, внутренний диаметр намотки 2мм±0,12мм
  • Линии СВЧ и элементы
    Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1:
    W1,W16 l=(20±0,28)мм, h=(3±0,12)ммW2,W4 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22
    W3,W15 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22 с незадействованной центральной жилой
    W4,W5 l=(12±0,24)мм, h=(3±0,12)мм
  • Разъемы
    XS1,XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_44

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *