Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n СВЧ генераторный транзистор
    с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-82;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9155В предназначены для работы в усилителях
    мощности в диапазоне частот 150-860 МГц
    в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 100 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 860 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥3;
  • КПД коллектора ηК≥45%.
Технические данные2t9155v_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ) UКЭR max 50 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 181 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 24 А 3
Максимально допустимая температура p-n перехода tК max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 860 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 150 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,77 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 — для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме не превышает предельного значения.

Электрические параметры транзисторов 2Т9155В при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом 200 мА 25
400 мА 125
400 мА -60
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=3 В 60 мА 25
120 мА 125
120 мА -60
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=100 МГц, UКЭ=10 В,
IK=5 А
3,5 25
Выходная мощность PВЫХ f=860 Мгц, UП=28 В, PВХ≤33,3 Вт, IKнач=2×0,1 А 100 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=860 МГц, UП=28 В, PВЫХ=100 Вт, IKнач=2×0,1 А 3 tК≤40
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 45 % tК≤40
Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных кристаллов
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого кристалла транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 11 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IК=1 А, tC=25±10 °С 15 пс
Емкость коллекторного перехода СK f=30 МГц, UП=28 В, tC=25±10 °С 120 пФ
Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению KCT UMAX UП=24 В, tK=40 °С, f=860 МГц 3
Примечание:

  1. Приведены значения параметра IKP отдельно для каждого транзистора сборки; КCT UMAX при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: не более 60 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

2t9155v_graphic_1 2t9155v_graphic_2
2t9155v_graphic_3 2t9155v_graphic_4
2t9155v_graphic_5 2t9155v_graphic_6
2t9155v_graphic_7 2t9155v_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 860 МГц
2t9155v_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1,С2,С21,С22 КТП-1Aa-150пФ(-20%; +50%)
    С3,С4 КМ-6б-Н90-1мкФ(-20%; +80%)
    С5,C6,С10,С11 КДО-2-М75-100пФ±10%
    С7,С13 (2/10)пФ переменный
    С8,C9 К10-57в-500В-8,2пФ±5%
    С12,С15 К10-57в-500В-4,7пФ±5%
    С14,C16 КД0-2-М75-1500пФ±10%
    С17,С18 К10-57в-250В-81пФ±10%
    С19,C20 К50-35-63В-10мкФ(-20%; +80%)
  • Резисторы
    R1, R2 МЛТ-0,5-15 Ом ±10%
  • Дроссели
    L1,L2 Дроссель высокочастотный ДПМ 2,4-3мкГн±5%
    L3,L4 8 витков провода ПЭВ-2-0,5, внутренний диаметр намотки4±0,12мм
    L5,L6 5 витков провода ПЭВ-2-0,5, внутренний диаметр намотки4±0,12мм
  • Линии СВЧ и элементы
    W1,W9 I=(50±0,74)мм кабеля РК-50-2-21
    W2,W10 I=(50±0,74)мм кабеля РК-50-2-21 с незадействованной центральной жилой
    W7,W8 I=(40±0,62)мм кабеля РК-25-1-23
    Несимметричная полосковая линия:
    W3,W4 Материал ФАФ4 толщина 1,5
    2t9155v_electrical_sch_2
    W5,W6 Материал ФАФ4 толщина 1
    2t9155v_electrical_sch_3
  • Разъемы
    XS1,XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2
  • VТ — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_82

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *