Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n генераторный СВЧ широкопоосный
    транзистор;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9156БС предназначены для работы в двухтактных
    усилителях мощности в полосе частот (650-1000) МГц
    в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 50 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 650, 800, 1000 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
  • КПД коллектора ηК≥50%.
Технические данные

2t9156bs_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ) UКЭR max 50 В 1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max 3 В 1
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме РК, ср max 94 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IК max 10 А 3, 4
Максимально допустимая температура p-n перехода tК max 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 1000 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 650 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 1,7 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 — для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме не превышает предельного значения;
  4. 4 — для двух плеч транзистора.

Электрические параметры транзисторов 2Т9156БС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом 60 мА 25
Обратный ток эмиттера IЭБО UЭБ=3 В 40 мА 25
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=3 А
2,4 25
Выходная мощность PВЫХ f=650, 800, 1000 Мгц, UП=28 В, PВХ=12,5 Вт 50 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=650, 800, 1000 МГц, UП=28 В, PВЫХ=15 Вт, KСЖ=1,25 (f=1000 МГц), IKнач=2×0,1 А 4 tК≤40
Коэффициент полезного
действия коллектора
ηК 50 % tК≤40
Разность коллекторных токов кристаллов в транзисторе ΔIК f=1000 МГц, UП=28 В, PВЫХ=50 Вт 0,7 А tК≤40
Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных плеч
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого плеча транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Критический ток коллектора IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 5 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IК=0,5 А, tC=25±10 °С 15 нс
Емкость коллекторного перехода СK f=30 МГц, UП=28 В, tC=25±10 °С 66 пФ
Емкость эмиттерного перехода СЭ f=5 МГц, UЭБ=0 В, tC=25±10 °С 310 пФ
Емкость коллекторного перехода КСЖ f=1000 МГц, UП=28 В 1,25
Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению KCT UMAX UП=24 В, tK(≤50±2) °С, f=840 МГц 5
Примечание:

  1. Приведены значения параметра IKP отдельно для каждого плеча транзистора; КCT UMAX при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке не более 40 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

2t9156bs_graphic_1 2t9156bs_graphic_2
2t9156bs_graphic_3 2t9156bs_graphic_4
2t9156bs_graphic_5 2t9156bs_graphic_6
2t9156bs_graphic_7 2t9156bs_graphic_8
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 650-1000 МГц
2t9156bs_electrical_sch
  • Конденсаторы
    С1,С2,С14,С15 К50-16-50в-5 мкФ
    С3,С4 К10-57-500В-12пФ ±10%
    C5,C6,С9,С10 К10-57-250В-68пФ ±10%
    С7*,C11* К10-57-500В-33пФ ±10%
    C8* К10-57-500В-8,2пФ ±10%
    С12,С13 К10-57-500-33пФ ±10%
  • Дроссели
    L1,L2,L7,L8 3 дроссель высокочастотный ДМ-3-1 ±5%
    L3,…,L6 3 витка ПЭВТ-2 0,51 внутренний диаметр намотки Ø5мм±0,16мм
  • Резисторы
    R1,R2,R3,R4 С2-23-0,25-15 Ом ±10%
  • Линии СВЧ и элементы
    W1 64мм±0,4мм коаксиального кабеля ОК-50-1-23
    W14 64мм±0,4мм коаксиального кабеля РК-25-1
    Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4Д-0,05-1:
    2t9156bs_electrical_sch_2
  • Разъемы
    XS1, XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2
  • VТ — измеряемый транзистор
    * — подбирают при регулировании
Габаритный чертёж корпуса
kt_44

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *