Высоковольтные модули усилителя мощности МУ-200

Описание

  • Высоковольтные модули усилителя мощности МУ-200
    с пробивным напряжением не менее 800 В
    на базе кремниевого эпитаксиально-планарного полевого n-канального транзистора типа 2П820А-5;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-56;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Основные характеристики

  • Напряжение питания UСИ = 800 В;
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
    RСИ отк = 0,8 Ом;
  • Начальный ток стока IC = 0,1 мА;
Технические данные

2p979b_chip

Электрические параметры транзисторов МУ-200 при приемке и поставке

Параметр Обозначение Значение Температура, °С
не более не менее
Начальный ток стока, мА
(UСИ = 800 В, UЗИ = 0 В)
IC нач 0,1 25
Ток утечки затвора, мкА
(UЗИ = ± 20 В, UСИ = 0 В)
IЗ ут 0,1 25
Крутизна характеристики, А/В
(UСИ = 30 В, IC = 5 А)
S 5 25
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом
(IС = 2 А, UЗИ = 10 В)
RСТ отк 0,8 25
Напряжение отсечки, В
(UСИ = UЗИ, IC = 10 мА)
UЗИ отс 2,0 4,0
Импульсный ток стока, А
(UЗИ = 10 В, τи=100 мкс, Q ≥ 200)
IС имп 30

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Примечания
не более не менее
Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В UЗИ макс −20 20 tK = 25 °C
Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, В
(Uзи = −10 В)
UСИ макс 720
800
860
tK= −60 °C
tK = 25 °C
tK = 125 °C
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт
(с дополнительным теплоотводом)
Pмакс 275 tK=25 °C
2)
Максимально допустимый постоянный ток стока, А IС макс 12 1)
Максимально допустимая температура перехода, °С tП макс 160
Максимально допустимая температура корпуса, °С tk макс 125
Минимально допустимая температура окружающей среды, °С tс min −60
Максимально допустимый импульсный ток стока, А IC имп 30
Примечание:

  1. 1 — значения IС макс приведены для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР);
  2. 2 — при температуре корпуса от +25 °С до +125 °С РМАКС линейно снижается по закону:
    РМАКС = 160 − tК /RТ П-К      (Вт),
  3. где RТ П-К – тепловое сопротивление переход-корпус транзистора, равное:
    RТ П-К = 0,5 °С/Вт.
Габаритный чертёж корпуса
kt_56

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *