Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-102-1;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П826АС предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 600 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 50 В;
  • Рабочая частота f = 30 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥25;
  • КПД стока ηС≥50%.
Технические данные2p826as_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±40 В 1, 2
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 125 В 1
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 630 Вт 3
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 60 А 4
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 160 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 100 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,19 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — норма на UЗИ макс подтверждается в составе технологических отбраковочных испытаний;
  3. 3 — при температуре корпуса tК≤40 (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К));
  4. 4 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П826АС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Начальный ток стока IС НАЧ UСИ=50 В, UЗИ=0 В 60 мА 25
300 мА 125
300 мА -60
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=125 В, UЗИ=-10 В 150 мА 25
Крутизна характеристики S IC=20 А, UСИ=10 В 10 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ f=30 Мгц, UСИ=50 В, PВХ≤24 Вт, IС≤800 мА 600 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=30 Мгц, UСИ=50 В, PВЫХ=600 Вт, IС≤800 мА 25 tК≤40
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 50 % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Ток утечки затвора IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В 0,1 мкА
Пороговое напряжение UЗИ ОТС IСИ=100 мА, UСИ=10 В 2 5 В
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии
RСИ ОТК IС=10 А, UЗИ=10 В 0,09 0,12 Ом
Входная емкость C11 И f=1 МГц, UСИ=50 В 1950 2100 пФ
Выходная емкость C22 И f=1 МГц, UСИ=50 В 850 900 пФ
Проходная емкость C12 И f=1 МГц, UСИ=50 В 75 100 пФ

S — параметры

Напряжение питания UСИ=50 В
Ток стока IC=800 мА

S11И – Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком;
S21И – Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S12И – Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S22И – Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком.

f, МГц S11И S21И S12И S22И
модуль фаза модуль фаза модуль фаза модуль фаза
10 0,888 -162 1,653 45 0,028 -46 0,843 -146
20 0,939 -171 0,491 26 0,014 -60 0,925 -157
30 0,944 -175 0,230 19 0,0093 -65 0,938 -163
40 0,956 -177 0,158 16 0,0070 -66 0,957 -165
50 0,960 -178 0,084 13 0,0053 -58 0,958 -173
60 0,961 -179 0,062 12 0,0040 -54 0,963 -176
70 0,964 179 0,047 13 0,0030 -49 0,965 -178
80 0,972 178 0,038 16 0,0025 -42 0,965 -180
90 0,971 177 0,027 17 0,0015 -26 0,967 -179
100 0,973 176 0,021 19 0,0012 -16 0,968 -181

Типовые зависимости электрических параметров

2p826as_graphic_1 2p826as_graphic_2
2p826as_graphic_3 2p826as_graphic_4
2p826as_graphic_5 2p826as_graphic_6
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя
2p826as_electrical_sch
  • Конденсаторы
    С1 К10-57-100 В-470 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    C2 К10-57-100 В-680 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    C3 К10-57-100 В-680 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    C4, С5 К10-17 в-Н90-0,15 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    C6…С9 MURATA GRM43RR72A224KA01-100B-0,22 мкФ
    С22…С26 MURATA GRM43RR72A224KA01-100B-0,22 мкФ
    C10…C21 ATC100BA102JW50XT-50B-1000 пФ
  • Резисторы
    R1 Резистор С2-10-1,0-5,6 Ом±1 % ОЖО.467.072 ТУ
  • Дроссели
    L1 5 витков ПЭВ2-0,65 мм, оправка 4 мм
  • Трансформаторы
    T1 Трансформатор 1:36 на кольцевых сердечниках М200ВНС К20×12×6
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_102_1

Комментариев: 2 к записи “2П826АС”

  1. «2П826АС» MRF157 спустя 40 лет скопировали, ЗАЧЕМ???? Ведь есть великолепные ARF1500 -ARF1505, тоже уже в возрасте!!!!! Или производство не позволяет?.В 80-е годы разрыв был не больше 10 лет. почему сейчас разрыв 40 лет?

    1. П826АС — не новинка. Это транзистор 2007 года. Был разработан, что называется pin-to-pin для конкретной военной аппаратуры в конкретном корпусе для импортозамещения (или как это называлось в те годы). Но, подчёркиваем, что это не новинка. Но он до сих пор востребован.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *