Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П826АС предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Рабочая частота f = 175 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥80;
  • КПД стока ηС≥50%.
Технические данные

2p821a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±20 В 1
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 65 В 1
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 20 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 1,5 А 3
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 230 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 7 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tК≤60 (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К));
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П821А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Начальный ток стока IС НАЧ UСИ=28 В, UЗИ=0 В 2 мА 25
10 мА 125
10 мА -60
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=60 В, UЗИ=-10 В 4 мА 25
Крутизна характеристики S IC=0,3 А, UСИ=10 В 0,18 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ f=175 Мгц, UСИ=28 В, PВХ≤0,063 Вт, IС≤50 мА 5 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=175 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=5 Вт, IС≤50 мА 80 tК≤40
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 50 % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Ток утечки затвора IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В 0,1 мкА
Пороговое напряжение UЗИ ОТС IСИ=100 мА, UСИ=10 В 1 3,1 6 В
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии
RСИ ОТК IС=0,3 А, UЗИ=10 В 2,4 2,8 Ом
Входная емкость C11 И f=1 МГц, UСИ=28 В 16 19 пФ
Выходная емкость C22 И f=1 МГц, UСИ=28 В 14 18 пФ
Проходная емкость C12 И f=1 МГц, UСИ=28 В 1,8 2,4 пФ

S — параметры

Напряжение питания UСИ=28 В
Ток стока IC=50 мА

S11И – Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком;
S21И – Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S12И – Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S22И – Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком.

f, МГц S11И S21И S12И S22И
модуль фаза модуль фаза модуль фаза модуль фаза
50 0,953 -39,227 6,664 146,827 0,044 56,866 0,946 -37,477
100 0,882 -70,459 5,270 121,126 0,069 33,825 0,869 -66,619
150 0,834 -93,006 4,056 101,471 0,079 15,682 0,816 -88,505
200 0,815 -109,356 3,133 87,246 0,080 3,332 0,801 -104,037
250 0,811 -121,809 2,475 75,809 0,077 -6,416 0,800 -116,496

Типовые зависимости электрических параметров

2p821a_graphic_1 2p821a_graphic_2
2p821a_graphic_3 2p821a_graphic_4
2p821a_graphic_5 2p821a_graphic_6
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя
2p821a_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1, С14 К10-57-100В-100 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С2 К10-57-100В-10 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С3, C10 К50-35-40В-220 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С4, С9 К10-17в-Н90-0,1 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    C5, С7, С11 С12 КТ4-25б-250В-2/10 пФ-М75 ОЖО.460.135 ТУ
    С6, C8 К10-57-100В-39 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С13 К10-57-100В-15 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
  • Резисторы
    R1, R2 С2-33Н-0,125-1,3 кОм±10% ОЖО.467.173 ТУ
    R3 С2-33Н-0,125-0,47 кОм±10% ОЖО.467.173 ТУ
    R4 С2-33Н-0,5-10 Ом±10% ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.027
    L2 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.028
    L3 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.015
    L4 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
    L5 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.029
    L6 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.027
  • Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-1,0
    W1 w=3 мм, l=17 мм
    W2 w=3 мм, l=20 мм
    W3 w=3 мм, l=20 мм
    W4 w=3 мм, l=27 мм
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_83

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *