Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-82;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П819А предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 230 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 300 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Рабочая частота f = 230 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥10;
  • КПД стока ηС≥50%.
Технические данные

2p819a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±20 В 1
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 60 В 1
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 350 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 35 А 3
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 230 МГц
Нижняя частота рабочего диапазона fНД 1 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,4 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса от +60°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П819А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Начальный ток стока IС НАЧ UСИ=50 В, UЗИ=0 В 75 мА 25
300 мА 125
150 мА -60
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=60 В, UЗИ=-10 В 75 мА 25
Крутизна характеристики S IC=5 А, UСИ=10 В 3,2 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ f=230 Мгц, UСИ=28 В, PВХ≤30 Вт, IС≤500 мА 300 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=230 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=300 Вт, IС≤500 мА 10 tК≤40
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 50 % tК≤40
Примечание:

  1. Значения параметров IС НАЧ, IС ОСТ, S приведены для каждой половины балансного транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Ток утечки затвора IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В 10 мкА
Пороговое напряжение UЗИ ОТС IСИ=100 мА, UСИ=10 В 1 6 В
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии
RСИ ОТК IС=5 А, UЗИ=10 В 0,11 0,19 Ом
Входная емкость C11 И f=1 МГц, UСИ=28 В 530 770 пФ
Выходная емкость C22 И f=1 МГц, UСИ=28 В 310 430 пФ
Проходная емкость C12 И f=1 МГц, UСИ=28 В 15 28 пФ
Примечание:

  1. Примечание — значения IС, IЗ УТ, UЗИ ОТС, RСИ ОТК, С11 И, С22 И, С12 И приведены для каждой половины
    балансного транзистора.

Типовые зависимости электрических параметров

2p819a_graphic_1 2p819a_graphic_2
2p819a_graphic_3 2p819a_graphic_4
2p819a_graphic_5 2p819a_graphic_6
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя
2p819a_electrical_sch
  • Конденсаторы
    С1 КТ4-25б-250 в-2/10 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С2…С7 К10-57-500 В-24п Ф±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С8,С9 Johanson Type 8052 – 1/10 пФ
    С10 К10-57-250В-82 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С11…С14 К10-17 в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С15 К10-57-500 В-27 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С16, С17 К10-57-500 В-30 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С18 К10-57-500 В-12 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С19, С20 К10-57-500 В-30 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С21 Johanson Type 8052 – 1/10 пФ
    С22…С24 К10-57-500 В-15пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С25 Johanson Type 8052 – 1/10 пФ
    С26…С31 К10-57-500 В-30 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С32…С35 К10-17 в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С36…С37 К50-35-100 В-22 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
  • Резисторы
    R1…R4 С2-33Н-0,25-1 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R5, R6 С2-33Н-0,25-560 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1, L2 — 3 витка провод ПЭВ2-1,3 оправка Ø 4 мм
    L3, L4 — 10 витков провод ПЭВ2-1,3 оправка Ø 4 мм
  • Линии СВЧ
    W1, W2 Кабель РК50-2-25 ТУ16-505.804-82 L=75 мм
    W3, W4 L=1 мм W=6 мм
    W5, W6 L=31 мм W=6 мм
    W7, W8 L=13,5 мм W=10 мм
    W9, W10 L=13,5 мм W=20 мм
    W11, W12 L=35 мм W=15 мм
    W13, W14 L=9 мм W=15 мм
    W15, W16
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_82

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *