Кремниевый мощный СВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П981ВС предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 20 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 12,5 В;
  • Рабочая частота f = 500 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥10;
  • КПД стока ηС≥50%.
Технические данные

2p981vs_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±20 В 1
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 40 В 1
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 60 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 6 А 3
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 500 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 2 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK≤80°С (при температуре корпуса от +80°С до +125°С РСР МАКС линейно снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П981ВС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Начальный ток стока IС НАЧ UСИ=12,5 В, UЗИ=0 В 3 мА 25
15 мА 125
15 мА -60
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=40 В, UЗИ=-10 В 6 мА 25
Крутизна характеристики S IC=1,0 А, UСИ=10 В 0,7 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ f=500 Мгц, UСИ=12,5 В, PВХ≤2 Вт, IС≤50 мА 20 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=500 Мгц, UСИ=12,5 В, PВЫХ=20 Вт, IС≤50 мА 10 tК≤40
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 50 % tК≤40
Примечание — значения IС НАЧ, IС ОСТ, S, приведены для каждой половины балансного транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Ток утечки затвора IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В 0,045 0,1 мкА
Пороговое напряжение UЗИ ОТС IСИ=50 мА 2 3,8 6 В
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии
RСИ ОТК IС=1,0 А, UЗИ=10 В 0,65 0,9 Ом
Входная емкость C11 И f=1 МГц, UСИ=12,5 В 38 65 пФ
Выходная емкость C22 И f=1 МГц, UСИ=12,5 В 50 60 пФ
Проходная емкость C12 И f=1 МГц, UСИ=12,5 В 6,3 9 пФ
Примечание — значения IС, IЗ УТ, UЗИ ОТС, RСИ ОТК, C11 И, C22 И, C12 И приведены для каждой половины балансного транзистора.

S — параметры

Напряжение питания UСИ=12,5 В
Ток стока IC=50 мА

S11И – Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком;
S21И – Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S12И – Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S22И – Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком.

f, МГц S11И S21И S12И S22И
модуль фаза модуль фаза модуль фаза модуль фаза
100 0,9999 -172,44 0,4832 35,42 0,012 -56,44 0,8834 -136,01
200 0,9971 179,53 0,1326 20,93 0,0057 -72,68 0,9229 -160,62
300 0,9934 175,66 0,0608 17,63 0,0029 -79,15 0,9339 -171,13
400 0,9936 172,06 0,0351 21,79 0,0008 -74,67 0,9383 -177,87
500 0,9941 168,94 0,0245 25,52 0,0019 -7,01 0,9344 -177,72
Примечание — значения S11 И, S21 И, S22 И приведены для каждой половины балансного транзистора.

Типовые зависимости электрических параметров

2p981vs_graphic_1 2p981vs_graphic_2
2p981vs_graphic_3 2p981vs_graphic_4
2p981vs_graphic_5 2p981vs_graphic_6
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя
2p981vs_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1 КТ4-25б-250В-1/5 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    C2, КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С3, С4 К10-57-500В-47 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    C5, Johanson 8052 1/10 пФ
    C6, С7, С10, С11 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С9 К10-57-500В-12 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    C12, C13 К50-35 63В-47 мкФ ОЖО.460214 ТУ
    C14, С17 КТ4-25б-250В-0,4/2 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    C15, C16 К10-57-100В-360 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
  • Резисторы
    R1…R6 Резистор С2-33Н-0,125-750 Ом±10% ОЖО.467.173 ТУ
    R7, R8 Резистор С2-33Н-0,5-9,1 Ом±5% ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1, L2 Катушка индуктивности КФДЛ.685421.002
    L3, L4 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
  • Линии СВЧ
    Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-2,0
    W1, W22 РК-50-2-25 ТУ 16-505.804-82, l=60 мм
    W2, W3, W20, W21 w=3 мм, l=60
    W4, W5 w=3 мм, l=10 мм
    W6, W7 w=3 мм, l=6 мм
    W8, W9 w=3 мм, l=22 мм
    W10, W11 w=3 мм, l=7 мм
    W12, W13 w=3 мм, l=8 мм
    W14…W17 w=3 мм, l=10 мм
    W18, W19 w=3 мм, l=6 мм
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — Измеряемая транзисторная сборка
Габаритный чертёж корпуса
kt_81

394033, г. Воронеж,

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *