Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П978Б предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 10 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Рабочая частота f = 500 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥20;
  • КПД стока ηС≥50%.
Технические данные

2p978b_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±20 В 1
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 65 В 1
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 40 Вт 2
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 3 А 3
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Верхняя частота рабочего диапазона fВД 500 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 3,2 °С/Вт
Диапазон рабочих температур -60 до +125 °С
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tК≤40 (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К));
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П978Б при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С
Начальный ток стока IС НАЧ UСИ=28 В, UЗИ=0 В 2 мА 25
10 мА 125
10 мА -60
Остаточный ток стока IС ОСТ UСИ=60 В, UЗИ=-10 В 4 мА 25
Крутизна характеристики S IC=0,3 А, UСИ=10 В 0,26 A/B 25
Выходная мощность PВЫХ f=500 Мгц, UСИ=28 В, PВХ≤0,5 Вт, IС≤50 мА 10 Вт tК≤40
Коэффициент усиления
по мощности
КУP f=500 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=10 Вт, IС≤50 мА 20 tК≤40
Коэффициент полезного
действия стока
ηC 50 % tК≤40
Примечание — значения IC НАЧ, IС ОСТ, S приведены для каждой половины балансного транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения
Ток утечки затвора IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В 0,6 мкА
Пороговое напряжение UЗИ ОТС IСИ=50 мА 2 6 В
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии
RСИ ОТК IС=0,6 А, UЗИ=10 В 3,4 Ом
Входная емкость C11 И f=1 МГц, UСИ=28 В 22 пФ
Выходная емкость C22 И f=1 МГц, UСИ=28 В 20 пФ
Проходная емкость C12 И f=1 МГц, UСИ=28 В 2,5 пФ
Примечание — значения IC, IЗ УТ, UЗИ ОТС, RСИ ОТК, С11 И, С22 И, С12 И приведены для каждой половины балансного транзистора.

Типовые зависимости электрических параметров

2p978b_graphic_1 2p978b_graphic_2
2p978b_graphic_3 2p978b_graphic_4
2p978b_graphic_5 2p978b_graphic_6
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя
2p978b_electrical_sch
  • Конденсаторы
    С1, C2 К10-57-250В-47 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С3, C4 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С5 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С6 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С7, C8 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С9 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С10…C12 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С13 К10-57-500В-4,7 пФ±0,25 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С14 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С15 К10-57-500В-4,7 пФ±0,25 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С16, C17 К50-35 63В-47 мкФ ОЖО.460214 ТУ
    С18, C19 К10-57-500В-47 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
  • Резисторы
    R1, R2 С2-33Н-0,25-10 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R3…R6 С2-33Н-0,25-1 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R7,R8 С2-33Н-0,25-2 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R9, R10 С2-33Н-0,25-2 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1, L2 Дроссель КФДЛ.757446.007
    L3, L4 Дроссель КФДЛ.757446.007 L5, L6 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
  • Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-2,0
    Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-2,0
    W1 w=3 мм, l=52 мм
    W2 РК-50-2-25 ТУ 16-505.804-82, l=52 мм
    W3 w=3 мм, l=52 мм
    W4, W5 w=3 мм, l=9 мм
    W6, W7 w=3 мм, l=20 мм
    W8, W9 w=3 мм, l=16 мм
    W10, W11 w=3 мм, l=16 мм
    W12 w=3 мм, l=52 мм
    W13 РК-50-2-25 ТУ 16-505.804-82, l=52 мм
    W14 w=3 мм, l=52 мм
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — измеряемый транзистор
Габаритный чертёж корпуса
kt_81

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *