Мощный СВЧ DMOS транзистор Р-диапазона частот

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • До 250 Вт выходной мощности в непрерывном режиме на
    частоте 500 МГц
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для построения мощных
    радиопередатчиков различной аппаратуры связи

Основные характеристики
(Условия измерения: UП = 50 В, f = 400 МГц, tk ≤ 40°С)

  • Выходная мощность РВЫХ, Вт — 30;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР , дБ — 15;
  • КПД стока ηС , % — 54;
  • Тепловое сопротивление переход-корпус RТП-К, °С/Вт — 2,0.
Технические данные

2p9112a_chip

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *