Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по LDMOS технологии;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ — 80 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  — 7 дБ;
  • КПД стока ηС≥50 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В,
    PВХ ≤ 16 Вт, tk ≤40 °С )
Технические данные

2p986es_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 401)
(UЗИ = -10 В)
В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 1602) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 12,83) А
Диапазон рабочих температур tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,6 °С/Вт
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK ≤ 100°С;
  3. 3 — значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры транзисторов 2П986ЕС при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт РВЫХ (CW) f = 500 МГц
UСИ = 12,5 В, РВХ ≤16 Вт
80 tk ≤ 40 °С
Коэффициент усиления
по мощности, дБ
КУP f = 500 Мгц, UСИ =12,5 В, PВЫХ=80 Вт 7 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηC f = 500 Мгц, UСИ =12,5 В, PВЫХ=80 Вт 50 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S* IC=5 А,
UСИ=10 В
2,9 tC  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ* UСИ = 12,5 В, UЗИ = 0 В 10
50
50
tC  = 25 °С
tC  = −60 °С
tC  = 125 °С
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ* UСИ = 40 В,
UЗИ = −10 В
20 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК * 0,15 (тип) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B ) C11 И* 208 (тип) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B ) C12 И* 19 (тип) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B ) C22 И* 89 (тип) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B, UСИ = 0 B ) IЗ УТ * 0,01 (макс) мА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки
параметров PВЫХ, КУР, ηС (f = 500 МГц)

2p986es_electrical_sch

  • Конденсаторы
    С1,С2,C22,C23       КТ4-25б-1/5 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    C3,С6,С7,C8,С10   1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    С11,C13,C15,C16   1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    C18,C19,C21          1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    С4,С5, C24,C25      АТС100В102JW50XT-50 B-1000 Пф
    С9,C12                    КТ4-25б-250 В-2/10 пФ ОЖО.460.135
    С14                         АТС100В180JW500XT-50 B-24 пФ
    С17,C20                 Johanson 8052 (1…10 пФ)
  • Резисторы
    R1…R4    C2-33Н-0,25-750 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R5,R6      C2-33Н-0,25-10 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1,L2     Катушка индуктивности КФДЛ.757446.042
    L3,L4     Катушка индуктивности КФДЛ.757446.043
  • Линии СВЧ, материал ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81
    W2, W3        L = 10 mm; W = 10 mm
    W4, W5        L = 10 mm; W = 10 mm
    W6, W7        L = 15 mm; W = 17 mm
    W8, W9        L = 15 mm; W = 17 mm
    W10, W11    L = 10 mm; W = 10 mm
    W12, W13    L = 10 mm; W = 10 mm
    W1, W14      PK 50-1.5-22 ; L = 25 mm
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — измеряемый транзистор
  • XP1.1, XP1.2, XP1.3, XP1.4 — Вилка РШ2Н-2-15 НЩО.364.003 ТУ

Типовые зависимости электрических параметров

2p986es_graphic_1 2p986es_graphic_2
2p986es_graphic_3 2p986es_graphic_4
2p986es_graphic_5 2p986es_graphic_6
2p986es_graphic_7 2p986es_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_103a_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *