Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Золотая металлизация;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55C-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ — 35 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  — 15 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  — 50 %((мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 1,1 Вт,
    tk ≤ 40 °С ).
Технические данные

2p998a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = — 10 В)
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 452) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 53) А
Диапазон рабочих температур tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 2,9 °С/Вт
Примечание:

  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса t≤ 70 °С;
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт Рвых (CW) f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤1,1 Вт
35 tk ≤ 40 °С
 Коэффициент усиления
по мощности, дБ
 КУР f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ  = 35 В
15 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηС f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ  = 35 Вт
50 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S IC = 2,0 A,
UСИ = 10 В
1,1 tС  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
5
25
25
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ UСИ = 60 В,
UЗИ = −10 В
3 tС  = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 1,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК 0,6 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С11И 85 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С12И 5 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С22И 50 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ±20 B ) IЗ УТ 0,01 (макс) мА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
400 0,75 + j 3,14 4,19 + j 1,99
450 0,75 + j 2,50 3,81 + j 1,88
500 0,72 + j 1,96 3,47 + j 1,73
600 0,72 + j 1,07 2,90 + j 1,34
700 0,71 + j 0,31 2,45 + j 0,89
800 0,70 — j 0,36 2,10 + j 0,41
860 0,69 — j 0,72 1,93 + j 0,12

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

2p998a_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p998a_graphic_1 2p998a_graphic_2
2p998a_graphic_3 2p998a_graphic_4
2p998a_graphic_5 2p998a_graphic_6
2p998a_graphic_7 2p998a_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_55s_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *