Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Золотая металлизация
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  -150 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 15 дБ (мин);
  • КПД стока ηС —  60 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 4,7 Вт, tk ≤ 40 °С)
Технические данные

2p998bs_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 2002) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС  183) А
Диапазон рабочих температур tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
– 60
+ 125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,8 °С/Вт
  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса tK ≤ 40°С;
  3. 3 — значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт РВЫХ (CW) f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤ 4,7 Вт
150 tk ≤ 40 °С
Коэффициент усиления
по мощности, дБ
КУР f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВЫХ  = 150 Вт
15 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηC f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ  = 150 Вт
60 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S* IC = 2,0 А, UСИ =10 В 1,6 tC = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ* UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ* UСИ = 60 В,
UЗИ = -10 В
10 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК * 0,37 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С11И * 175 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С12И * 11 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С22И * 90 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B ) IЗ УТ * 0,01 (макс) мА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
400 0,24 + j 0,46 2,13 + j 1,55
430 0,25 + j 0,20 1,96 + j 1,40
435 0,25 + j 0,15 1,93 + j 1,38
440 0,25 + j 0,11 1,90 + j 1,35
500 0,25 — j 0,36 1,62 + j 1,04
600 0,28 — j 1,03 1,33 + j 0,44
700 0,32 — j 1,66 1,12 — j 0,07
800 0,37 — j 2,23 0,96 — j 0,54
900 0,38 — j 2,75 0,82 — j 0,94

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

2p998bs_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p998bs_graphic_1 2p998bs_graphic_2
2p998bs_graphic_3 2p998bs_graphic_4
2p998bs_graphic_5 2p998bs_graphic_6
2p998bs_graphic_7 2p998bs_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_103a_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *