Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Высокие усиление и КПД;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ — 300 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР -19 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  — 50 % (мин)
    (режим измерения: f = 450 МГц, UСИ = 36 В, PВХ ≤ 3,75 Вт,
    tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p9103gs_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 651) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 3402) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 283) А
Диапазон рабочих температур tС МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°C
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,45 °С/Вт
  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса t≤ 25°С;
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, еденица измерения Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса), °С
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт PВЫХ(CW) f = 450 МГц, UСИ = 36 В,
PВХ ≤ 3,75
300 tК ≤ 40 °C
Коэффициент усиления по мощности, дБ KУР f = 450 МГц,
UСИ = 36 В,
PВЫХ = 300 Вт
19 tК ≤ 40 °C
Коэффициент полезного действия стока, % ηC f = 450 МГц,
UСИ = 36 В,
PВЫХ = 300 Вт
65 tК ≤ 40 °C
Крутизна характеристики, А/В S* IС = 5,0 А,
UСИ=10 В,
5 tC = 25 °C
Начальный ток стока, мА IС НАЧ* UСИ = 36 В,
UЗИХ = 0 Вт
8
40
40
tC = 25 °C
tC = –60 °C
tC = 125 °C

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC=5,0 А, UЗИ=10 В)
RСИ ОТК* 0,23 (макс) Ом
Входная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 36 В) C11И* 202 (макс) пФ
Проходная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 36 В) C12И* 3,4 (макс) пФ
Выходная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 36 В) C22И* 116 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 В, UСИ = 0 В) IЗ УТ* 10 (макс) мкА
Напряжение отсечки (I= 100 мА) UЗИ ОТС 1,5 — 6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров РВЫХ, КУР , ηС на частоте 450 МГц

2p9121as_electrical_sch
  • Конденсаторы
    К10-57- ОЖО.460.194ТУ
    К10-69в — АЖЯР.673511.002ТУ
    К50-29 — ОЖО.464.156ТУ
    С1, C2, С4, С23 – С26 К10-57в – 500 В – 47 пФ 5 %
    С3 К10-57в – 500 В – 27 пФ 5 %
    C5, C6, С9, С10 К10-69в – Н30–50В – 0,015 мкФ 20 % – (0805)
    С15 – С18 К10-69в – Н30–50В – 0,015 мкФ 20 % – (0805)
    С7, С8 К10-57в – 50 В – 1 000 пФ 5 %
    С11 К10-57в – 500 В – 9,1 пФ 5 %
    С12, С14 К10-57в – 500 В – 16 пФ 5 %
    С13, С28, С29 К10-57в – 500 В – 8,2 пФ 5 %
    С19, С22, С30 К10-57в – 500 В – 3,6 пФ 0,25 пФ
    С20, С21 К50-29 – 63 В – 1 000 мкФ 20 %
    С27 К10-57в – 500 В – 4,7 пФ 0,25 пФ
  • Индуктивности
    L6, L7 КФДЛ.000000.001Э L1 – L5, L8 – L12 – выполнены конструктивноL1, L2 l= 19 мм, w= 3 мм; L3, L4 l= 15 мм, w= 13 ммL5, L8 l= 65 мм, w= 2 мм; L9, L10 l= 19 мм, w= 17 ммL11, L12 l= 15 мм, w= 13 мм Материал подложки ФАФ — 4Д — 1,5
  • Резисторы
    Р1-12 – АЛЯР.434110.005ТУ СП5-2ВБ – ОЖО.468.539.ТУR1, R2 СП5-2ВБ — 0,5 – 15 кОм 10 % R3, R4, R7, R14 Р1-12 — 0,125 Вт – 3,3 кОм 5 % — МR5, R6 Р1-12 — 0,25 Вт – 100 Ом 5 % — М R8 – R13 Р1-12 — 0,125 Вт – 1 Ом 5 % — МR15 – R22 Р1-12 — 0,25 Вт – 5,1 Ом 5 % — М
  • Трансформаторы
    W1 КФДЛ.000000.002Э
    W2 КФДЛ.000000.003Э
  • VТ1 — измеряемый транзистор
Типовые зависимости электрических параметров

2p9121as_graphic_1 2p9121as_graphic_2
2p9121as_graphic_3 2p9121as_graphic_4
2p9121as_graphic_5 2p9121as_graphic_6
2p9121as_graphic_7 2p9121as_graphic_8

Габаритный чертёж корпуса

kt_103a_2

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *