Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по LDMOS технологии;
  • Золотая металлизация;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 1000 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  – 6,5 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 11 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  — 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 860 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 0,54 Вт, tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p980a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 651) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 162) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 1,53) А
Диапазон рабочих температур tС МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
–60
+125
°C
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 10,0 °С/Вт
  1. 1 — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 — при температуре корпуса t≤ 40°С;
  3. 3 — значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, еденица измерения Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса), °С
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт PВЫХ(CW) f = 860 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤ 0,54 Вт
6,5 tК ≤ 40 °C
Коэффициент усиления по мощности, дБ KУР f = 860 МГц
UСИ = 28 В,
РВЫХ  = 6,5 Вт
11 tК ≤ 40 °C
Коэффициент полезного действия стока, % ηC f = 860 МГц
UСИ = 28 В,
РВЫХ  = 6,5 Вт
40 tК ≤ 40 °C
Крутизна характеристики, А/В S IC= 0,6 A,
UСИ= 10 В
0,3 tC = 25 °C
Начальный ток стока, мА IС НАЧ UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
2
10
10
tC = 25 °C
tC = –60 °C
tC = 125 °C
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ UСИ = 60 В,
UЗИ = –10 В
4 tC = 25 °C

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC=0,6 А, UЗИ=10 В)
RСИ ОТК 2,5 (макс) Ом
Входная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 28 В) C11И 30(макс) пФ
Проходная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 28 В) C12И 3,5 (макс) пФ
Выходная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 28 В) C22И 15 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ±20 В) IЗ УТ 0,1 (макс) мкА
Пороговое напряжение ( IСИ = 50 мA ) UЗИ ПОР 1-6 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
 860 0,90 — j 1,03 3,40 + j 6,90

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

2p9111bs_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p980a_graphic_1 2p980a_graphic_2
2p980a_graphic_3 2p980a_graphic_4
2p980a_graphic_5 2p980a_graphic_6
2p980a_graphic_7 2p980a_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_55s_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *