Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по LDMOS технологии;
  • Внутренняя согласующая цепь по входу;
  • Золотая металлизация;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 1000 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  – 150 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 10 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  — 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 860 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤15 Вт,
    tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p980bs_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 651) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 2002) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 183) А
Диапазон рабочих температур tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,8 °С/Вт
  1. 1) — для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) — при температуре корпуса tК ≤ 40 °С;
  3. 3) — значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт РВЫХ (CW) f = 860 МГц
UСИ = 32 В,
РВХ ≤15 Вт
150 tk ≤ 40 °С
Коэффициент усиления
по мощности, дБ
КУР f = 860 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ  = 150 Вт
10 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηC f = 860 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ  = 150 Вт
45 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S* IC= 2,0 A,
U= 10 В
1,8 tC = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ* UСИ = 32 В,
UЗИ = 0 В
10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = –60 °С
tС  = 125 °С
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ* UСИ = 60 В,
UЗИ = –10 В
20 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК * 0,4 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B ) С11И * 990 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B ) С12И * 8,0 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B ) С22И * 100 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B ) IЗ УТ * 0,1 (макс) мкА
Пороговое напряжение ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ПОР 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
860 8,97 + j 2,97 0,85 — j 0,02

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

2p980bs_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p980bs_graphic_1 2p980bs_graphic_2
2p980bs_graphic_3 2p980bs_graphic_4
2p980bs_graphic_5 2p980bs_graphic_6
2p980bs_graphic_7 2p980bs_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_103a_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *