Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 1000 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  – 2 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 10 дБ (мин);
  • Рабочая частота f = 1000 МГц;
  • КПД стока ηС  — 50 % (мин)
    (режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,2 Вт,
    tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p986a_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС ±201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 401)
(UЗИ = –10 В)
В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 102) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 0,53) А
Диапазон рабочих температур tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 200 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 10 °С/Вт
  1. 1)  для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tК ≤100 °С;
  3. 3) значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт Рвых (CW) f = 1000 МГц
UСИ = 12,5 В,
РВХ ≤0,2 Вт
2 tk ≤ 40 °С
 Коэффициент усиления
по мощности, дБ
 КУР f = 1000 МГц
UСИ = 12,5 В, РВЫХ  = 2 В
10 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηС f = 1000 МГц
UСИ = 12,5 В, РВЫХ  = 2 Вт
50 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S IC = 0,3 A,
UСИ = 10 В
0,25 tС  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ UСИ = 12,5 В,
UЗИ = 0 В
2
10
10
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ UСИ = 40 В,
UЗИ = −10 В
4 tС  = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 0,3 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК 2,0 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B ) С11И 12,2 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B ) С12И 1,1 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B ) С22И 6,1 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ±20 B, UСИ = 0 B ) IЗ УТ 0,01 (макс) мА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В
Информация для применения
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров
PВЫХ, КУР, ηС (f = 1000 МГц)
2p986a_electrical_sch
  • Конденсаторы
    C1,С5 КТ4-25б-250 В-0,4/2 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С2,С6 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С3,С7 КТ4- 25в-250 В-3/15 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С4,С10 КТ4- 25в-250 В-1/5 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    C8 К50-35-63 В-47 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С9 К10-57-100 В- 1000 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
  • Резисторы
    R1…R3 C2-33Н-0,25-750 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R4 C2-33Н-0,5-15 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1 Дроссель КФДЛ.757446.007
    L2 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 ВГИО.477.005 ТУ
  • Линии СВЧ, материал ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81
    W1 L = 20 mm; W = 3 mm
    W2 L = 15 mm; W = 9 mm
    W3 L = 17 mm; W = 9 mm
    W4 L = 20 mm; W = 6 mm
    W5 L = 21 mm; W = 3 mm
    W6 L = 13 mm; W = 3 mm
  • Разъемы
    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
  • VТ1 — измеряемый транзистор
  • XP1.1, XP1.2 — Вилка РШ2Н-2-15 НЩО.364.003 ТУ

Типовые зависимости электрических параметров

2p986a_graphic_1 2p986a_graphic_2
2p986a_graphic_3 2p986a_graphic_4
2p986a_graphic_5 2p986a_graphic_6
2p986a_graphic_7 2p986a_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_55s_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *