Мощный СВЧ LDMOS линейный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Низкий уровень интермодуляционных искажений;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD)
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1.

Основное назначение

Транзистор предназначен для работы в аппаратуре
радиосвязи с высокими требованиями по линейности и
передающих станциях эфирного телевещания

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО  – 75 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 15 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  — 40 % (мин);
  • Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка
    М3 — минус 25 дБ (макс)
    (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц,
    UСИ = 32 В, PВХ ≤ 2,37 Вт, tk ≤ 40 °С , класс AB)
Технические данные

2p9103v_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 1632) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 7,03) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК  МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,95 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность в пике
огибающей, Вт
РВЫХ ПО f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВХ ≤ 2,37 Вт
75 tk ≤ 40 °С
Коэффициент усиления
по мощности, дБ
КУР f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО = 75 Вт
16 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηC f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО = 75 Вт
40 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S IC= 2,0 A,
U= 10 В
2,3 tC = 25 °С
Коэффициент
интермодуляционных
искажений 3-го порядка, дБ
М3 f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО =75 Вт
-25 tk ≤ 40 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ UСИ = 32 В,
UЗИ = 0 В
8
40
40
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С
Остаточный ток стока, мА IС ОСТ UСИ = 60 В,
UЗИ = 0 В
16 tС  = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК 0,18 (тип) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B ) С11И 70 (тип) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B ) С12И 1,7 (тип) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B ) С22И 46 (тип) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B ) IЗ УТ 0,1 (макс) мА
Напряжение отсечки ( IСИ = 50 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
400 0,53 + j 3,75 2,92 + j 2,79
500 0,62 + j 2,60 2,44 + j 2,19
600 0,63 + j 1,81 2,03 + j 1,74
700 0,70 + j 1,23 1,71 + j 1,14
800 0,79 + j 0,61 1,65 + j 0,53
860 0,75 + j 0,32 1,67 + j 0,28
900 0,73 + j 0,07 1,71 + j 0,09
1000 0,73 — j 0,46 1,70 — j 0,53
1100 0,63 — j 0,84 1,56 — j 0,85
1200 0,51 — j 1,2 1,42 — j 1,14
1300 0,42 — j 1,57 1,30 — j 1,57
1400 0,37 — j 1,97 1,18 — j 2,05
1500 0,22 — j 2,38 1,05 — j 2,37

 

2p9103v_electrical_sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

 

 

Типовые зависимости электрических параметров

2p9103v_graphic_1 2p9103v_graphic_2
2p9103v_graphic_3 2p9103v_graphic_4
2p9103v_graphic_5 2p9103v_graphic_6
2p9103v_graphic_7 2p9103v_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_55s_1

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *