Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот до 500 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи

Основные RF характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И  — 500 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР — 21 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  — 45 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, tИ = 25 мс,
    Q = 10, tk ≤ 40 °С )
Технические данные

2p9120as_chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное напряжение
сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность РИ МАКС 7752) Вт
Максимально допустимый импульсный ток стока IС И МАКС 193) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tC МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К И
0,2 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в импульсном режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР).

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная импульсная
мощность, Вт
РВЫХ И f = 500 МГц,
UСИ = 50 В,
τИ  = 25 мс,
Q =  10
500 tk ≤ 40 °С
 Коэффициент усиления
по мощности, дБ
 КУР f = 500 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 500 Вт,
τИ  = 25 мс,
Q =  10
21 tk ≤ 40 °С
Коэффициент полезного
действия стока, %
ηС f = 500 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 500 Вт,
τИ  = 25 мс,
Q =  10
45 tk ≤ 40 °С
Крутизна характеристики, А/В S* IC = 5,0 A,
UСИ = 10 В
4,7 tС  = 25 °С
Начальный ток стока, мА IС НАЧ* UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
8
40
40
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК* 0,25 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С11И* 262 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С12И* 2,6 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B ) С22И* 170 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B ) IЗ УТ* 10 (макс) мкА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения
Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров
PВЫХ, КУР, ηС (f = 1000 МГц)
2p9120as_electrical_sch
  • Конденсаторы
    С1, С2 К10-57-250В-120 пФ± 5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С3 КТ4-25б-4/20 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С4  Johanson type 8052 – 1/10 пФ
    С5, С6 К10-17в-Н90-1,5 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С7, С8 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С9 К10-57-500В-4,7 пФ±0,5 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С10 К10-57-500В-6,8 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С11 Johanson type 8052 – 1/10 пФ
    С12, С13 К50-35-100 В-22 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С14, С15 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С16 К10-57-500В-4,7 пФ±0,5 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С17…С22 К10-57-500В-15 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С23 К10-57-500В-2,2 пФ±0,5 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С24 Johanson type 8052 – 1/10  пФ
  • Резисторы
    R1…R6 С2-33Н-0,25-1,2 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R7, R8 С2-33Н-0,5-10Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
  • Дроссели
    L1, L2 —  3 витка провод ПЭВ2-1,3 оправка Ø 4 мм
    L3, L4 – дроссель высокочастотный ДМ-3-1В ГИО.477.005 ТУ
  • Линии СВЧ
    W1 Кабель КВФ-25 ТУ16-705.103-79 L=64 мм
    Подложка лист ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81:
    W2, W3  L=64мм W=4 мм
    W4, W5  L=4,5мм W=5 мм
    W6, W7  L=7мм W=5 мм
    W8, W9  L=11мм W=10 мм
    W10, W11  L=12мм W=22,5 мм
    Подложка лист ФАФ-4Д-0,035-0,5 ГОСТ 21000-81:
    W12, W13  L=28 мм W=24,5 мм
    Подложка лист ФАФ-4Д-0,035-1,5 ГОСТ 21000-81:
    W14, W15L=39 мм W=12 мм
    W16, W17L=64 мм W=4 мм
    W18 Кабель РК50-2-25 ТУ16-505.804-82 L=50 мм
  • Разъемы
    Xw1     Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2     Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
    VТ1 — измеряемый транзистор

Типовые зависимости электрических параметров

2p9120as_graphic_1 2p9120as_graphic_2
2p9120as_graphic_3 2p9120as_graphic_4
2p9120as_graphic_5 2p9120as_graphic_6
2p9120as_graphic_7 2p9120as_graphic_8
Габаритный чертёж корпуса
kt_103a_2

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *