GaN разработки

 

GaN МИС усилители мощности

Модель
Описание
Характеристики
УНГ20С2560
Интегральный модуль СВЧ-усилитель мощности. Предназначен для использования в усилителях мощности СВЧ-диапазона 2,4-6 ГГц, выходная мощность 20 Вт, напряжение питания 28 В, вход/выход 50 Ом, коэффициент усиления по мощности 20 дБ min, КПД 30 %, класс АВ

 

Мощные GaN транзисторы

Обозначение РВЫХ, Вт fТЕСТ, МГц КУР, дБ КПД (min), % UПИТ, В Тип корпуса

ТНГ40010-28

10 4000 10 45 28 КТ-81С

ТНГ40025-28

25 4000 9 50 28 КТ-81С

ТНГ29050-28

50 2900 11 60 28 КТ-55С-1

 

Мощные импульсные GaN транзисторы

Обозначение РВЫХ И, Вт fТЕСТ, МГц КУР, дБ КПД (min), % UПИТ, В τи, мкс Q Тип корпуса

ТНГ270100-28

100 2700 9 60 28 300 10 КТ-55С-1

ТНГ310100-50

100 3100 11 50 50 300 10 КТ-55С-1

394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru