Новости

ФГУП "НИИЭТ" завершил разработку серии мощных СВЧ LDMOS транзисторов

 

ФГУП "НИИЭТ" в рамках ОКР «Номенклатура» завершила разработку серии мощных СВЧ LDMOS транзисторов 2П998Авых =35 Вт), 2П998БСвых =150 Вт) для применения в диапазоне рабочих частот до 500 МГц с напряжением питания 28 В.

 

Транзисторы предназначены для комплектования усилительных модулей аппаратуры стационарных и бортовых средств связи специального и двойного назначения. Модули с использованием LDMOS транзисторов позволят увеличить энергетические параметры аппаратуры и её функциональные возможности.

 

Предприятие принимает предварительные заявки заинтересованных потребителей на поставку транзисторов с видом приёмки “5” начиная с октября 2010 года.

 

Более подробную информацию вы можете получить на странице, посвященной Полевым транзисторам.

 


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru