Новые разработки

Мощный биполярный импульсный транзистор Р-диапазона

Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ Ии, Вт fТЕСТ, МГц КУР (min), дБ КПД (min), % UПИТ, В
Высотка-23НТ 2Т9211А 120* 350 10 50 50

* τ = 10 мкс, Q= 100
Срок окончания ОКР - 2016 г.

Мощные СВЧ LDMOS линейные транзисторы

  • Диапазон частот до  1000 МГц
Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ ПО, Вт f1 , МГц f2, МГц КУР (min), дБ КПД (min), % UПИТ, В М3, дБ
Дискрет-34 2П9123А 0,5 860 860,1 18 40 28 -30
Дискрет-34 2П9123Б 15 860 860,1 15 40 28 -30
Дискрет-34 2П9123В 100 860 860,1 16 40 50 -30

Срок окончания ОКР - 2016 г.

Мощные СВЧ LDMOS импульсные транзисторы

  • Диапазон частот до  1200 -1400 МГц
Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ И, Вт f1 , МГц f2, МГц КУР (min), дБ η (min), % UП, В Параметры
импульса
τИ, мс Q
Дискрет-36 литера 1 25 1200 1400 17 43 50 1 10
Дискрет-36 литера 2 35 1200 1400 16 43 36 1 10
Дискрет-36 литера 3 50 1200 1400 16 43 50 1 10
Дискрет-36 литера 4 350 1200 1400 16 43 50 1 10
Дискрет-36 литера 5 500 1200 1400 16 43 50 1 10

Срок окончания ОКР - 2017 г. 

Мощные ВЧ DMOS транзисторы для работы в непрерывном режиме (CW)

Шифр ОКР Тип транзистора РВЫХ, Вт f, МГц КУР (min), дБ КПД (min), % UПИТ, В UСИ, В
Вольт-И10 литера 1 30 30 18 50 50 125
Вольт-И10 литера 2 150 108 18 50 50 170
Вольт-И10 литера 3 300 30 20 50 50 170
Вольт-И10 литера 4 400 50 19 50 50 170
Вольт-И10 литера 5 150 150 18 50 100 250

Ближайшие зарубежные аналоги: MRF151 (M/A - COM), VRF2933, VRF2944 (Microsemi), SD2918, SD3931-10, SD4933 (ST Microelectronics), BLF177 (NXP)

Срок окончания ОКР - июль 2019 г.


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru