Биполярные транзисторы

2T9175Б

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n генераторный низковольтный СВЧ транзистор;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9175Б предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 140-512 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 2 Вт;
  • Напряжение питания UП = 7,5 В;
  • Рабочая частота f = 470 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥6;
  • КПД коллектора ηК≥55%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ)

UКЭR max 20 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 7,5 Вт 1

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 1,0 А 2

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 512 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 140 МГц -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме не превышает предельного значения для данной температуры;

Электрические параметры транзисторов 2Т9175Б при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=20 В, RЭБ=10 Ом

-

3

мА

25

- 6 мА 125
- 6 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В

-

10

мА

25

- 20 мА 125
- 20 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=0,4 А
3 - - 25

Выходная мощность

РВЫХ f=470 МГц, UП=7,5 В,
РВХ≤0,33 Вт
2 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=470 МГц, UП=7,5 В
РВЫХ=2 Вт
6 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

hК 55 - % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 1,0 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,4 А, tс=25±10 °С - - 18 нс

Емкость эмиттерного перехода

СЭ f=5 МГц, UЭБ=0 В, tС=25±10 °С - - 42 пФ

Емкость коллекторного перехода

СК f=30 МГц, UП=7,5 В, tС=25±10 °С - - 18 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя
для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц

  • Конденсаторы

    С1, С2 КТ4-21б-2/10 пФ ОЖО.460.103ТУ
    С3 К10-57-500В-15 пФ ±10% ОЖО.460.194ТУ
    С4 К10-17-3-Н50-0,068 мкФ ±20% ОЖО.460.107ТУ
    С5, С8 К10-57-250В-680 пФ ±20% ОЖО.460.194ТУ
    C6, C7 КТ4-21б-3/15 пФ-В ОЖО.460.103ТУ
    С9 К50-35-63В-10 мкФ ОЖО.464.214ТУ

  • Резисторы

    R1, R3 С2-23-0,25-15 Ом ±10% ОЖО.467.173ТУ
    R2 С2-23-0,25-10 Ом ±10% ОЖО.467.173ТУ

  • Дроссели

    L1, L4 дроссель высокочастотный ДМ-2,4-3 ±10%
    L2, L3 6 витков провода ПЭВ-2 диаметр 0,51 мм, внутренний диаметр намотки 3,5 мм

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5

    W1 w=(4,5±0,1) мм, l=(12±0,2) мм
    W2, W3 w=(6,6±0,16) мм, l=(74±0,16) мм
    W4 w=(12,7±0,1) мм, l=(30±0,16) мм
    W5 w=(4,5±0,1) мм, l=(5±0,16) мм

  • Разъемы

    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru