Биполярные транзисторы

2T9197А

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83А;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9197А предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером
    в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 2 Вт;
  • Напряжение питания UП = 12,6 В;
  • Рабочая частота f = 870 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥6;
  • КПД коллектора ηК≥55%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ)

UКЭR max 36 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 20 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 2,3 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 870 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 200 МГц -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 7 °С/Вт -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tT)/RТ П-T);
  3. 3 - значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9197А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=36 В, RЭБ=10 Ом - 3 мА 25
- 6 мА 125
- 6 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 2 мА 25
- 4 мА 125
- 4 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=0,7 А
2,4 - - 25

Выходная мощность

РВЫХ f=870 МГц, UП=12,6 В,
РВХ≤0,33 Вт, IK≤20 мА
2 - Вт tК≤60

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=870 МГц, UП=12,6 В
РВЫХ=2 Вт, IK≤20 мА
6 - - tК≤60

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 55 - % tК≤60

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 1,3 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С - - 13,5 нс

Емкость эмиттерного перехода

СK f=30 МГц, UЭБ=12,6 В, tС=25±10 °С - - 9,75 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц

  • Конденсаторы

    C1,...,C5 КТ4-25б-100В-1/5пФ ОЖО.460.135ТУ
    C7, C8 К10-17-3-Н50-0,68мкФ20% ОЖО.460.107ТУ
    C6, C9 К50-35-100В-10мкФ ОЖО.464.214ТУ

  • Резисторы

    R1, R2 6 витков провода ПЭВ-2 диаметр 0,51 мм, внутренний диаметр намотки 2,5 мм

  • Дроссели

    L1 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.027
    L2 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.028
    L3 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.015
    L4 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
    L5 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.029
    L6 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.027

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5

    W1, W5 w=3 мм, l=20 мм
    W2 w=3 мм, l=13 мм
    W3 w=3 мм, l=33 мм
    W4 w=3 мм, l=5 мм

  • Разъемы

    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru