Биполярные транзисторы

2T9197В

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83А;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9197В предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером
    в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 15 Вт;
  • Напряжение питания UП = 12,6 В;
  • Рабочая частота f = 870 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
  • КПД коллектора ηК≥55%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ)

UКЭR max 36 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 36 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 6 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 870 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 200 МГц -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Тепловое сопротивление переход-теплоотвод

RT П-Т 2,8 °С/Вт -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tT≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tT)/RТ П-T);
  3. 3 - значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9197В при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=36 В, RЭБ=10 Ом - 10 мА 25
- 20 мА 125
- 20 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 6 мА 25
- 12 мА 125
- 12 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=4,0 А
1,8 - - 25

Выходная мощность

РВЫХ f=870 МГц, UП=12,6 В,
РВХ≤3,75 Вт, IK≤50 мА
15 - Вт tК≤60

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=870 МГц, UП=12,6 В
РВЫХ=15 Вт, IK≤50 мА
4 - - tК≤60

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 55 60 % tК≤60

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 12,9 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С - - 9,2 нс

Емкость эмиттерного перехода

СK f=30 МГц, UЭБ=12,6 В, tС=25±10 °С - - 35 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц

  • Конденсаторы

    C1,...,C3 КТ4-25-б-100В-1/5пФ ОЖО.460.135ТУ
    C6,...,C8 КТ4-25-б-100В-1/5пФ ОЖО.460.135ТУ
    C4, C5 К10-57-500В-7,5пФ10% ОЖО.460.194ТУ
    C10, C11 К10-17-3-Н50-0,68мкФ20% ОЖО.460.107ТУ
    C9, C12 К50-35-100В-10мкФ ОЖО.464.214ТУ

  • Резисторы

    R1, R2 С2-33-0,5-11Ом10% ОЖО.467.173ТУ

  • Дроссели

    L2, L3 три витка провода ПЭВ-2 0,6мм, внутренний диаметр намотки 3мм
    L1, L4 дроссель высокочастотный ДМ-3-110%

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5

    W1, W2, W5 w=3,5 мм, l=15 мм
    W3 w=3,5 мм, l=3 мм
    W4 w=3,5 мм, l=7 мм
    W6 w=3,5 мм, l=15 мм

  • Разъемы

    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru