Биполярные транзисторы

2T9193А

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ генераторный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9193А предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 500-900 МГц в схеме с общим эмиттером
    в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 30 Вт;
  • Напряжение питания UП = 12,5 В;
  • Рабочая частота f = 900 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥3,5;
  • КПД коллектора ηК≥55%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ)

UКЭR max 36 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 70 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 10 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 900 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 500 МГц -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 2 °С/Вт -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К);
  3. 3 - значение IK max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9193А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=36 В, RЭБ=10 Ом - 20 мА 25
- 40 мА 125
- 40 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 20 мА 25
- 40 мА 125
- 40 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=4 А
1,5 - - 25

Выходная мощность

РВЫХ f=900 МГц, UП=12,5 В,
РВХ≤8,6 Вт
30 - Вт tК≤60

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=900 МГц, UП=12,5 В
РВЫХ=30 Вт
3,5 - - tК≤60

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 55 - % tК≤60

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 4,5 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С - - 24 нс

Емкость эмиттерного перехода

СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С - - 60 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=12,5 В, tK≤40 °С, f=470 МГц - - 10 -

Примечание:

  1. значение параметра КCT UMAX при всех фазах коэффициента отражения при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке ≤ 8 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 470 МГц

  • Конденсаторы

    C1, C8 К50-35-25в-10мкФ20%
    C2, C7 К10-17-3-Н50-0,68мкФ20%
    C3, C4, C9 КТ4-25б-100в-1/5пФ
    C5, C6 К10-57-500в-7,5пФ10%
    C10 К10-57-500в-33пФ10%

  • Резисторы

    R1, R2 С2-33Н-0,5-11Ом5%

  • Дроссели

    L1, L4 ДМ3-110%
    L2, L3 3 витка ПЭВ-2 диаметр 0,65мм, оправка диаметр 4мм

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,5

    W1 w=3 мм, l=20 мм
    W2 w=3 мм, l=5 мм
    W3 w=22 мм, l=10 мм

  • Разъемы

    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru