Биполярные транзисторы

2T9128АС

Кремниевый мощный биполярный ВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевая n-p-n генераторная ВЧ транзисторная сборка с внутренними цепями согласования по входу;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-45;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторные сборки 2Т9128АС предназначены для работы в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 200 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 175 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥5,5;
  • КПД коллектора ηК≥60%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 4 В 1, 2

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 ОМ)

UКЭR max 50 В 1, 2

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 180 Вт 3

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

РК, max 115 Вт 4

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 18 А 5

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 200 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 100 МГц -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,61 °С/Вт 6
0,96 °С/Вт 7

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - в режиме усиления высокочастотные составляющие не учитываются при условии, что PВХ≤36,3 Вт;
  3. 3 - при температуре корпуса tK≤50°С (при температуре корпуса от +50°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (160-tK)/RТ П-К), где RТ П-К=0,61 °С/Вт;
  4. 4 - при температуре корпуса tK≤50°С (при температуре корпуса от +50°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (160-tK)/RТ П-К), где RТ П-К=0,96 °С/Вт;
  5. 5 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора не превышает предельного значения
  6. 6 - в непрерывном динамическом режиме
  7. 7 - в непрерывном статическом режиме

Электрические параметры транзисторов 2Т9128АС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом - 100 мА 25

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=4 В - 80 мА 25

Емкость коллекторного перехода

CK f=5 МГц, UКБ=28 В - 430 пФ 25

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=100 МГц, UКЭ=10 В,
IK=5 А
2 - - 25

Разность коллекторных токов транзисторов в сборке

ΔIK f=175 МГц, UП=28 В,
РВЫХ=200 Вт
- 1 А tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=175 МГц, UП=28 В
РВЫХ=200 Вт
5,5 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 60 - % tК≤40

Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО, СK двух параллельно включенных транзисторов сборки, IH21ЭI - отдельно для каждого транзистора сборки.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=100 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 12 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, IЭ=0,5 А, tс=25±10 °С - - 30 нс

Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора

СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С - - 4300 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=24 В, tK≤50 °С - - 5 -

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

h21Э UКЭ=5 В, IK=500 мА, tK≤40 °С - - 100 -

Примечание:

  1. Приведены значения параметра IКР отдельно для каждого транзистора сборки; КСТ UMAX при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке не более 110 Вт на частоте f=200 МГц, и не более 100 Вт на частоте f=100 МГц.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 175 МГц

  • Конденсаторы

    C1 КТ2-19-1,9/15пФ
    C2, C3 К10-57В-250В-51пФ
    C4* К10-57В-500В-10пФ
    C5* К10-57В-250В-100пФ
    C6* К10-57В-250В-75пФ
    C7 К10-57В-500В-6,8пФ
    C8, C9 К10-57В-500В-47пФ
    C10, C11 К50-12-100В-10мкФ
    C12, C13 КДО-2-2200пФ

  • Резисторы

    R1, R2 С2-33Н-0,25 10 Ом

  • Дроссели

    L1, L2 7 витков ПЭВ2-0,7мм, оправка 4мм
    L3, L4 ДПМ-1-3
    L5, L6 10 витков ПЭВ2-0,8мм, оправка 4мм
    L7 6 витков ПЭВ2-0,8мм, оправка 3мм

  • Микрополосковые линии

    Подложка ФАФ4-2 Н=1,5мм
    W3, W4 L=20мм W=3мм
    W5, W6 L=12мм W=3мм
    W7, W8 L=26мм W=3мм
    W9, W10 L=18мм W=3мм
    W11, W12 L=2мм W=3мм

  • Коаксиальные линии

    W1,W2, W13, W14 РК50-2-24 L=75мм

  • Разъемы

    XS1, XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор
    * - подбираются при регулировке

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru