Биполярные транзисторы

2T904А/ВЭ

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-4-2;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т904АВЭ предназначены для работы в схемах автогенераторов, умножителей частоты, усилителей мощности аппаратуры
    в диапазоне частот 100-400 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 3 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 400 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥2,5;
  • КПД коллектора ηК≥40%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база

UКБ max 65 В 1, 2

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ)

UКЭR max 65 В 1, 2

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 4 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 180 Вт 3

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 0,8 А 1

Максимально допустимый импульсный ток коллектора

IК, И max 1,5 A 1

Максимально допустимый постоянный ток базы

IБ max 0,2 A 1

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 185 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 400 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 100 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 15 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что рассеиваемая мощность не превышает предельной;
  2. 2 - допускается пиковое значение напряжения до 75 В при работе в режиме генератора мощности на частоте не ниже 100 МГц;
  3. 3 - при температуре корпуса tK≤80°С (при температуре корпуса от +80°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (185-tK)/RТ П-К).

Электрические параметры транзисторов 2Т904А/ВЭ при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=65 В, RЭБ=100 Ом - 1 мА 25

-

2 мА 125

-

2 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=4 В - 100 мА 25

-

200 мА 125

-

200 мА -60

Емкость коллекторного перехода

CK f=5 МГц, UКБ=28 В - 430 пФ 25

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=100 МГц, UКЭ=28 В,
IK=200 А
3,5 - - 25

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=400 МГц, UКЭ=28 В
РВЫХ=3 Вт
2,5 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 40 - % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=100 МГц, UКЭ=28 В, tС=25±10 °С 1,0 1,35 1,5 А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=10 В, f=5 МГц, IЭ=30 мА, tC=25±10 °С - - 15 нс

Емкость коллекторного перехода

СK f=5 МГц, UКЭ=28 В - - 12 пФ

Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора

СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 80 90 125 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=24 В, tK≤50 °С - - 5 -

Граничное напряжение

UКЭО ГР I=200 мА 40 60 - В

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 100 МГц

  • Конденсаторы

    C1,...,C3 1КПВМ-1 ИХО.465.002 ТУ
    C4 К10-17б-Н90-0,047 мкФ±10 % ОЖО.460.172 ТУ
    C5 К10-17б-Н90-3300 пФ±10 % ОЖО.460.172 ТУ
    C6, C7 1КПВМ-1 ИХО.465.002 ТУ

  • Резисторы

    R1 С2-33Н-0,25-68 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1,...,L4 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ

  • Кнопки

    SB1 КМ2-1 ОЮО.360.011 ТУ

  • Вилки

    XP1 2РМ14КПНЧШ1В1 ГЕО.364.126 ТУ

  • Разъемы

    XS1, XS2 Розетка приборная СР-50-165 Ф ВРО.364.010 ТУ

  • VТ - измеряемый транзистор

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 400 МГц

  • Конденсаторы

    C1, C2 1КПВМ-4 ИХО.465.002 ТУ
    C3 К10-17б-Н90-0,033 мкФ±10 % ОЖО.460.172 ТУ
    C4 1КПВМ-3 ИХО.465.002 ТУ
    C5 КТП-1Аа-Н70-3300 пФ ГОСТ11553-80
    C6 1КПВМ-3 ИХО.465.002 ТУ
    C7 К50-35-40В-47 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    C8 1КПВМ-3 ИХО.465.002 ТУ

  • Резисторы

    R1 С2-33Н-0,25-240 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
    L2 Катушка индуктивности И9М7.767.032-01
    L3 Катушка индуктивности И9М7.767.042

  • Кнопки

    SB1 КМ2-1 ОЮО.360.011 ТУ

  • Вилки

    XP1 2РМ14КПНЧШ1В1 ГЕО.364.126 ТУ

  • Разъемы

    XS1, XS2 Розетка приборная СР-50-165 Ф ВРО.364.010 ТУ

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru