Биполярные транзисторы

2T9147АС

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевая эпитаксиально-планарная n-p-n генераторная
    СВЧ транзисторная сборка с общим эмиттером;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-82;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторные сборки 2Т9147АС предназначены для работы
    в двухтактных усилителях мощности в диапазоне
    частот 100-400 МГц в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 160 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 400 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
  • КПД коллектора ηК≥50%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ)

UКЭR max 50 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 4 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 175 Вт 3

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 29 А 4

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 400 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 100 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,8 °С/Вт 5

0,6

°С/Вт 6

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что рассеиваемая мощность не превышает предельной;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К, где RТ П-К=0,6 °С/Вт);
  3. 3 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К, где RТ П-К=0,8 °С/Вт);
  4. 4 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора не превышает предельного значения;
  5. 5 - в статическом режиме;
  6. 6 - в непрерывном динамическом режиме.

Электрические параметры транзисторов 2Т9147АС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Выходная мощность

PВЫХ f=400 Мгц, UП=28 В, PВХ≤40 Вт 160 - Вт tК≤60

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом - 120 мА 25

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=4 В - 60 мА 25

Емкость коллекторного перехода

CK f=5 МГц, UКБ=28 В - 420 пФ 25

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=50 В,
IK=6 А
1,4 - - 25

Разность коллекторных токов транзисторов в сборке

ΔIK f=400 МГц, UП=28 В,
РВЫХ=160 Вт
- 2 А tК≤60

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=400 МГц, UП=28 В
РВЫХ=160 Вт
4 - - tК≤60

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 50 - % tК≤60

Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО, СK двух параллельно включенных транзисторов сборки, IH21ЭI - отдельно для каждого транзистора сборки.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 18 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=1 А, tC=25 °С - - 40 пс

Емкость коллекторного перехода

СK f=5 МГц, UКЭ=28 В - - 12 пФ

Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора

СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 2100 - 2720 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=24 В, tK≤50 °С - - 31 -
- - 102 -

Примечание:

  1. Приведены значения параметра Iкр отдельно для каждого транзистора сборки; Кст Umax при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: 1 - не более 160 Вт; 2 - не более 125 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК в режиме класса С на частоте (300-400) МГц

  • Конденсаторы

    C1* К10-57-500В-2,2 пФ ±0,5пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С2,С3 К10-57-500В-6,8 пФ ±1пФ
    С4,С5 К10-17•1в-Н50-0,1 мкФ +50% ОЖО.460.172 ТУ
    C6, C7 К10-57-500В-4,7 пФ ±0,5 пФ
    С8,С9 К10-57-100В-1000 пФ ±10%
    С10,С11 К50-35-63в-2200 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С12* К10-57-500В-2,2 пФ ±0,5пФ

  • Резисторы

    R1,R2 МЛТ-0,5-12 Ом ±10%

  • Дроссели

    L1, L2 ДМ3-1 ±5%
    L3,...,L6 3 витка провода ПЭТВ-2 НВМ-0,5, внутренний диаметр 3 мм

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,0

    W2,W13,W3,W13 (40±0,4) мм коаксиального кабеля РК50-1,5-22
    W1,W14 несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1, l=(5±0,28) мм, h=(3±0,12) мм
    W4,W5 l=(17±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
    W6,W7 l=(6±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
    W8,W9 материал ФАФ-4-1, l=(9±0,24) мм, h=(16±0,12) мм
    W10,W11 материал ФАФ-4-1, l=(27±0,24) мм, h=(16±0,12) мм

  • Разъемы

    XS1, XS2 Переход коаксиально-полосковый И9М3.562.020

  • VТ - измеряемый транзистор
    * - подбирают при регулировании

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru